mos管品牌排行榜2015

1、MOS管有哪些厂家唉？

MOS的品牌很多啊，有分的，看你是要哪个类型的，有P沟道的，N沟道的，N沟道的又分高压MOS，大电流中低压MOS，超结MOS（COOLMOS），我们公司代理了两个品牌，韩国信安高压MOS和NCE大电流中低压MOS，超结MOS（COOLMOS）。

2、韩国MOS管有哪些品牌

从现代电子剥离出的新锐，美格纳半导体MagnaChip
信安半导体TureSemi
AUK光电子。

3、什么品牌的mos场效应管好？

IR和ST也不错，但不一定具备性价比，而且假货种种。
如果要最求性价比这个就不好说了。
还有mos应用不只是mos管本身好就一定好。
还要看怎么应用。
用好了什么mos管都是神管。

4、MOS管比较好的的品牌有哪些，它们的常用的料号有那些？

MOS管分类有：国产、进口（美国、欧洲、日本、韩国、）

国产品牌有：新洁能

进口品牌有：AOS美国万代半导体、意法半导体、仙童半导体、特瑞仕

它们的常用料号（如下：）

AOS美国万代半导体常用料号有：

AO3401、AO3400、AO4813、AOT470、AOB290L、AO4407A、

AO3404A、AO3401A、AOZ1280CI、AOZ1284PI

意法半导体常用料号有：

STLD200N4F6AG、STLD125N4F6AG

仙童半导体常用料号有：

NCS213R、NCS36000

特瑞仕常用料号有：

XCL301系列、XCL226系列、XP161系列

5、MOS管全世界一共有哪些品牌？

MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。

美系：IR，ST，仙童，安森美，TI ，PI，英飞凌。

安森美；

安森美半导体(ON
Semiconctor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

日系：东芝，瑞萨，新电元。

东芝；

东芝（Toshiba），是日本最大的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。公司创立于1875年7月，原名东京芝浦电气株式会社，1939年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成.

东芝业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。20世纪80年代以来，东芝从一个以家用电器、重型电机为主体的企业，转变为包括通讯、电子在内的综合电子电器企业。进入90年代，东芝在数字技术、移动通信技术和网络技术等领域取得了飞速发展，成功从家电行业的巨人转变为IT行业的先锋。

2018年7月，《财富》世界500强排行榜发布，东芝在"2018年《财富》世界500强"中排行第326位

韩系：KEC，AUK，美格纳，森名浩，威士顿，信安，KIA。

“威士顿”是推出的一个办公耗材品牌名称。

推出"威士顿"绿色品牌，公司产品多达1000余种，以打印机瓶装碳粉、套鼓、芯片、鼓芯、充电辊、磁辊、复印机瓶装碳粉、专用粉盒、硒鼓、刮板、芯片等。产品主要兼容用于惠普、佳能、爱普生、联想、三星、兄弟、施乐、松下、柯美、东芝、理光、佳、柯尼卡、夏普、京瓷等十几个品牌的打印机复印机。每个产品的开发、原材料采购，投产到最后出货，均通过九大测试（定影测试、环保测试、老化测试、环境测试、防水测试、耐磨测试、页产量测试、高低温测试、色质测试）与5大检验（原材料检验，半成品检验，成品检验，清洁度检验，安全性检验），每个成品严格按照国家抽样标准《GB2828/T-2003标准》检验出厂，其性能完全达到原厂的打印效果，因此用户可以放心使用我们的产品。

台系：APEC，CET。

国产：吉林华微，士兰微，华润华晶，东光微，深爱半导体

(5)mos管品牌排行榜2015扩展资料；

mos管发热分析；

做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

参考资料；

网络；MOS管

6、推荐几款MOS管

首先考虑两种极限情况：当vI处于逻辑0时 ，相应的电压近似为0V；而当vI处于逻辑1时，相应的电压近似为VDD。假设在两种情况下N沟道管 TN为工作管P沟道管TP为负载管。但是，由于电路是互补对称的，这种假设可以是任意的，相反的情况亦将导致相同的结果。
下图分析了当vI=VDD时的工作情况。在TN的输出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，叠加一条负载线，它是负载管TP在 vSGP=0V时的输出特性iD－vSD。由于vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），负载曲线几乎是一条与横轴重合的水平线。两条曲线的交点即工作点。显然，这时的输出电压vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通过两管的电流接近于零。这就是说，电路的功耗很小（微瓦量级）

下图分析了另一种极限情况，此时对应于vI＝0V。此时工作管TN在vGSN＝0的情况下运用，其输出特性iD－vDS几乎与横轴重合 ，负载曲线是负载管TP在vsGP＝VDD时的输出特性iD－vDS。由图可知，工作点决定了VO＝VOH≈VDD；通过两器件的电流接近零值 。可见上述两种极限情况下的功耗都很低。

由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元，其输出电压接近于零或+VDD，而功耗几乎为零。

2.传输特性

下图为CMOS反相器的传输特性图。图中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=
2V。由于 VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，当VDD-|VTP|>vI>VTN 时,TN和TP两管同时导通。考虑到电路是互补对称的，一器件可将另一器件视为它的漏极负载。还应注意到，器件在放大区（饱和区）呈现恒流特性，两器件之一可当作高阻值的负载。因此，在过渡区域，传输特性变化比较急剧。两管在VI=VDD/2处转换状态。

7、mos品牌在国内排第几？

1，线路设计是没有问题的， 但是你漏了一个电阻，就是在MOS管的S端应该有个
保护电阻，因为靠MOS过流内阻上升到0.7V很难，所以电晶体保护就失去意义
2，你确定DS没有接错， D接灯，S接地
3，使用电表测量VGS（测量MOS管的脚）是否>5V？
6, 你电阻R28=5.1K， R27=474 ？ 是否是470K？
7，工作时候(灯亮)Vgs 的
电压应该＝[蓄电池－1.4）×（R27/(R27+R28)]
电压必须>5V
如果不是就是控制那个光耦（猜测）线路可能有些问题
以上如果使用的是IRF1404