nandflash掉電保護專利

1、請問三星的NAND FALSH 斷電可以保存數據嗎？

自然是可以的，flash都是斷電內容不丟失的，至於NAND只是與非的意思，就是flash內部使用與非模式來保存數據，但這不影響flash的本質就是掉電內容不丟失。
RAM掉電內容丟失。

2、sd介面怎麼接nand flash

nand
flash是存儲晶元，而sd卡是將nand
flash晶元疊加到一起，擴大容量，同時添加管理系統晶元。
nand
flash是不可以直接使用的，需要驅動程序
sd則自帶驅動程序

3、長期掉電存儲電路 硬體模擬電路自製

簡介
模擬經常採用虛擬具體假想情形的方法，也經常採用數學建模的抽象方法。模擬最初只用於物理、工程、醫學、空間技術等方面。20世紀50年代之後，逐步推廣到工商業管理、經濟科學研究之中。
模擬
不同認識
在經濟學中對模擬有三種不同的認識:①認為模擬就是用模型去描述經濟系統的結構和行為，以研究該系統某方面的變化如何影響其他方面或整個系統；②認為模擬就是對模型的方程組特別是動態方程組進行按期的求解，以探測模型的靈敏度，預測即為一種模擬；③認為模擬就是在模型的范圍內對所有可替換的結合方式進行有控制的試驗，觀察它們的後果，從中選擇較好的特定結合方式。政策分析即為一種模擬。上述三種認識的共同點是模擬離不開模型的建立和應用。
在現實經濟生活中直接進行實驗，或者是不可能的，或者是得不償失的，而根據實際問題建立模型，並利用模型進行試驗，比較不同後果，選擇可行方案，不失為有效的代用方法。同時由於經濟數學模型日益增大和復雜化，並且更多地考慮非經濟的影響，已不能用數學運算達到准確的分析解，而需要通過電子計算機模擬，用數值運算達到數字解。綜合這兩個方面，模擬即使間接試驗有了可能，也為模型求解提供了新的方法

4、NANDFLASH與eMMC的區別

NANDFLASH與eMMC的區別為：來源不同、用途不同、讀取不同。

一、來源不同

1、NANDFLASH：NANDFLASH是東芝在1989年的國際固態電路研討會(ISSCC)上發表的。

2、eMMC：eMMC為MMC協會所訂立的。

二、用途不同

1、NANDFLASH：NANDFLASH適合用於儲存卡之類的大量存儲設備。

2、eMMC：eMMC主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標准規格。

三、讀取不同

1、NANDFLASH：NANDFLASHI/O介面並沒有隨機存取外部地址匯流排，它必須以區塊性的方式進行讀取。

2、eMMC：eMMC在封裝中集成了一個控制器，提供標准介面進行讀取並管理快閃記憶體。

5、三星的系列NandFlash有什麼區別

您好

K9F系列的是SLC結構的NANDFLASH
2.K9G系列的是MCL結構的NANDFLASH

首先是存取次數。MLC架構理論上只能承受約1萬次的數據寫入，而SLC架構可承受約10萬次，是MLC的10倍。這個1萬次指的是數據寫入次數，而非數據寫入加讀取的總次數。數據讀取次數的多寡對快閃記憶體壽命有一定影響，但絕非像寫入那樣嚴重。

其次是讀取和寫入速度。這里仍存在認識上的誤區，所有快閃記憶體晶元讀取、寫入或擦除數據都是在快閃記憶體控制晶元下完成的，快閃記憶體控制晶元的速度決定了快閃記憶體里數據的讀取、擦除或是重新寫入的速度。SLC技術被開發的年頭遠早於MLC技術，與之相匹配的控制晶元技術上已經非常成熟。

第三是功耗。SLC架構由於每Cell僅存放1bit數據，故只有高和低2種電平狀態，使用1.8V的電壓就可以驅動。而MLC架構每Cell需要存放多個bit，即電平至少要被分為4檔（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的電壓才能驅動。

第四是出錯率。在一次讀寫中SLC只有0或1兩種狀態，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，簡單點說每Cell就像我們日常生活中使用的開關一樣，只有開和關兩種狀態，非常穩定，就算其中一個Cell損壞，對整體的性能也不會有影響。在一次讀寫中MLC有四種狀態（以每Cell存取2bit為例），這就意味著MLC存儲時要更精確地控制每個存儲單元的充電電壓，讀寫時就需要更長的充電時間來保證數據的可靠性。它已經不再是簡單的開關電路，而是要控制四種不同的狀態，這在產品的出錯率方面和穩定性方面有較大要求，而且一旦出現錯誤，就會導致2倍及以上的數據損壞，所以MLC對製造工藝和控制晶元有著更高的要求。

第五是製造成本。MLC技術原來每Cell僅存放1bit數據，而現在每Cell能存放2bit甚至更多數據，這些都是在存儲體體積不增大的前提下實現的，所以相同容量大小的MLC
NAND Flash製造成本要遠低於SLC NAND Flash。

6、nand flash/nor flash/eprom/eeprom/sdram/ddr ram等存儲器的差異和作用

簡單描述為：
nand flash、nor flash均為快閃記憶體晶元，這是兩種不同實現方案的Flash，nor flash的容量通常比nand flash的要大，讀寫性能上，nand flash會更勝一籌。都具有掉電數據不丟失特性，故廣泛應用於U盤、SD、TF卡等。

7、機頂盒裡用的nand是emmc嗎

掉電保護等措施就需要依賴NAND Flash使用廠家通軟體進行完善。
在ARM核心板、對操作系統進行雙備份以及對flash進行10萬次掉電測試等、ARM開發板、ARM工控板領域，M3352核心板、M283核心板、M287核心板、M3517核心板、EPC-9200、EPC-9100工控主板等產品，針對NandFlash有著完善的壞塊管理、EPC-8000工控主板、EPC-9600，eMMC產品內部已經包含了Flash管理技術，包括錯誤探測和糾正，Flash平均擦寫，壞塊管理，例如分別在wince 與linux系統下加固flash驅動、掉電保護等措施，目前，SLC已經淡出主流市場，主流存儲單元正在從MLC向TLC邁進，存儲單元與NANDFLASH相同。針對Flash的特性。
但當前NAND Flash在嵌入式產品中應用仍然極為廣泛，因此壞塊管理。
eMMC ( Embedded Multi Media Card) 採用統一的MMC標准介面，自身集成MMC Controller，掉電保護等技術NAND Flash的存儲單元分為SLC（Single Layer Cell）、MLC (Multi-Layer Cell)以及TLC（Triple Layer Cell）

8、我給一個NAND FLASH晶元寫了個驅動，可以申請專利嗎？

【1】是否申請可以根據你的方案的創新程度判斷。

【2】如果驅動中含有別人意向不到的方法，取得比一般好的效果，可以申請發明專利。

【3】如果僅僅是一般性的驅動，與別人寫的驅動相比沒有過人之處，效果也於一般的驅動相似，申請了也不一定能授權。

希望對你有用。

9、NAND FLASH與SD卡有什麼不同

說下我所知道的吧，僅供參考。
1）NAND
FLASH應該就是NAND
MEMORY吧，就是指手機或者MP4的內存，就像電腦的內存一樣，為程序的運行保存一些參數變數，斷電後會自動清除。他的大小當然也要影響到手機的運行速度。相關的內存數據還有一個就是Free
Executable
RAM
Memory，這個是實際可用內存，就是除手機自帶程序佔用的內存之外，用戶可以自己支配的內存，比如開個QQ阿，或者打開個游戲阿，實際可用內存的大小會影響到這些程序的運行速度；
2）SD卡是一種存儲器。就是通過擴展插槽插入SD卡來增加手機的存儲容量，這個是用來存儲數據的，就好像電腦的硬碟。現在的手機一般都有兩種存儲介質一個是機器本身的就是User
Storage，我們用手機拍的照片，或者錄像都會直接存儲到這個User
Storage中。另外一個就是外置的SD卡了，我們可以把手機中的文件復制到SD卡中保存或者使用。
大致就是這樣吧，不知道說清楚了么。

10、sd卡和nand flash哪個可靠

Nand
Flash是
存儲晶元
，而SD卡是將Nand
Flash晶元
疊加到一起，擴大容量，同時添加管理系統晶元。
Nand
Flash是不可以直接使用的，需要驅動程序
SD則自帶驅動程序