內存專利

1、為何手機通信的34G專利費那麼高？

自去年底以來，高通（Qualcomm）可謂是麻煩不斷。先是被韓國公平交易委員會(簡稱「KFTC」)以壟斷及妨礙競爭為名，罰了1萬億韓元（約合人民幣59億元），創下韓國反壟斷罰金歷史記錄。今年1月初，美國聯邦貿易委員會（Federal Trade Comission，以下簡稱FTC）也對高通提起訴訟，指控高通的專利授權政策違反了聯邦法案，構成不正當競爭。今年1月20日，蘋果也美國起訴高通，稱其非法利用手機晶元領域的壟斷地位，並要求其退還約10億美元承諾退還的專利使用費。隨後蘋果也停止了向高通支付專利授權費。目前雙方仍處於激烈的對抗當中。正所謂屋漏偏逢連夜雨，現在，台灣公平交易委員會也認為高通壟斷，並向其開出了234億新台幣（約合人民幣51億元）的罰款。
台灣向高通開出234億新台幣罰單
10月11日，台灣公平交易委員會第1353次委員會議決議通過，該決議認定高通憑借其在CDMA、WCDMA及LTE等移動通訊標准基帶晶元市場的領先地位（同時擁有眾多CDMA、WCDMA及LTE之標准必要專利），拒絕授權競爭對手，並採取「沒有授權協議，就沒有晶元」的手段，要求客戶簽訂排他性條款，其整體的經營模式損害了基帶晶元市場的公平競爭，直接或間接的阻礙了其他競爭對手參與競爭，違反了台灣公平交易法第9條第1款規定。
台灣公平交易委員會表示，高通公司違反台灣競爭法至少持續了7年之久，在此期間，台灣企業向高通采購的基帶晶元總金額高達300億美金，而高通向台灣企業收取的專利許可費達到了4000億新台幣（約合人民幣871億元），高通在此違法期間內所獲商品或服務銷售金額超過了1億元新台幣，屬情節重大案件應該按照情節重大案件處理。故對高通處以台灣公平交易委員會成立以來最高的234億元新台幣的罰款。
同時，除了罰款之外，台灣公平交易委員會還要求高通以下行為：
1、停止與晶元競爭對手已簽署的須提供含晶元價格、銷售對象、銷售數量及產品型號等敏感商業信息的契約條款；
2、停止與手機製造商已簽署的元器件供應合同中有關沒有授權就不供應晶元的條款；
3、停止與客戶已簽署的排他性獨家交易條款。
此外，台灣公平交易委員會要求高通公司自處分書送達之次日起30日內，應以書面通知晶元競爭對手及手機製造商，而相關競爭對手和手機製造商在收到該通知的次日起60日內可向高通公司提出增修或新訂專利技術授權等相關合約，高通公司在收到邀約後，應當本著善意、誠信、對等的原則與其進行協商；而協商的范圍應包括但不限於協商對象根據處分書而認有不公平的合約條款，且協商內容不得限制協商對象通過法院或獨立第三方之仲裁途徑解決爭議。高通公司還需自處分書送達之次日起每6個月，向公平會報告與相關協商對象的協商情況，並在完成與競爭對手及手機製造上增修或新訂的合約簽署後30日內向公平會報告。
消息傳出後，高通方面立即表示反對，宣布將會提起上訴。
不過高通的競爭對手們對此就比較開心了。聯發科就評價道：「對高通的處罰有助於建立一個公平、合理的產業競爭環境，與國際趨勢及標准一致，聯發科技對這樣的結果表示認同與支持。」
高通：一直被「反壟斷」，但模式依舊
早在2005年，高通就遭到了諾基亞、博通、德州儀器和愛立信等公司提起的訴訟，歐盟一直在對高通的專利授權費進行調查。而在與高通達成價值逾25億美元的協議後，諾基亞和博通撤回了申訴。
2009年7月，韓國公平貿易委員會（以下簡稱「KFTC」）宣布，由於高通違反了韓國反壟斷法,因此對其處以2600億韓元(約2.08億美元)的罰款。
2009年9月底，日本公平貿易委員會(以下簡稱「JFTC」)也表示，高通觸犯了日本反壟斷法規，並要求高通停止其非法行為。JFTC稱，高通強迫日本手機廠商簽訂不公平協議，禁止手機廠商主張自主知識產權，不利於市場競爭。JFTC要求高通修改協議中的「霸王條款」，以後不再採取類似措施。不過高通否認了JFTC的指控。
2015年2月，中國反壟斷機構國家發展改革委員會就對高通開出了60.88億元的罰單，這也是中國反壟斷歷史上金額最大的罰單。雖然，60.88億元的罰款對於高通來說並不算個什麼大事，這個金額只佔其2013年在華市場銷售額的8%。
2015年12月，歐盟指控高通其濫用市場地位，欺壓競爭對手。
2016年12月底，韓國KFTC也宣布，高通濫用市場壟斷地位，在銷售晶元時強迫手機製造商為一些不必要的專利支付費用，同時他們還拒絕向其它數據機晶元製造商授權標准必要專利，這種行為妨礙了競爭。因此，決定向高通開出約1萬億韓元的罰單（約合人民幣59億元），創下韓國反壟斷罰金歷史記錄。59億元罰款看起來很重，但其實每一年，高通都能從韓國廠商那裡獲取大約85億元的專利授權費用。
不過，對於韓國KFTC的兩次指控和處罰，高通都拒絕承認和接受。隨後在今年2月份，高通向韓國高等法院提出兩起上訟，第一要求撤銷KFTC的裁決，第二請求暫緩執行KFTC的整改要求，直至上訴判決出來。
對於韓國KFTC的處罰，高通一直持抗拒的態度，到目前為止高通也並未繳納罰款及進行整改。韓國政府對此似乎也沒有什麼辦法。畢竟，韓國市場對於高通來說只是個小市場。在韓國，三星可以說是高通的最大客戶，三星手機一直依賴高通的基帶進入歐美市場，高通同時也是三星晶元代工業務的大客戶。這也使得三星不會公開指控高通。
同樣，對於此次台灣台灣公平交易委員會對高通的罰款，可能高通也不會認領。畢竟台灣市場比韓國更是要小很多。即使放棄台灣市場，對於高通來說似乎也並沒有什麼影響。
不過，對於高通來說，中國市場可是萬萬不能怠慢的。近年來，中國一直是全球智能手機的製造中心，中國市場當時也是僅次於美國的全球第二大智能手機市場（Strategy Analytics數據顯示，2016年Q3中國已經超越美國成為全球最大智能手機市場）。因此，高通乖乖的向中國發改委繳納了60.88億元罰款。
而且，高通還接受了中國發改委的要求，整改了其收費標准。這也是高通首次改變了其已在全球范圍內實行了近20多年的專利收費標准。
對於高通來說，此次中國發改委的處罰落地，也奠定了高通後續在中國市場的「有法可依」的收費標准。這也是為何在中國發改委處罰決定公布後，高通的股價也應聲大漲5%的原因。
在中國的反壟斷案結束之後，高通在中國市場也迎來了豐收，包括中興、華為、小米、OPPO、vivo、聯想、金立、TCL、海爾等在內的100多家國內主要廠商都相繼與高通重新達成專利授權協議，2016年底的時候，高通還與「釘子戶」魅族也達成了專利授權協議。
根據高通公布的財報顯示，2016財年第三財季凈利14億美元，同比增長22%；第四財季高通凈利潤為16億美元，同比大漲60%。而推動高通凈利潤快速增長的一個重要原因就是其在中國市場獲得的專利授權費的快速增長。
高通專利授權及收費模式
雖然中國（包括台灣）、日本、韓國、歐盟都有對高通進行反壟斷調查甚至處罰，但是這都沒有影響到高通的根基，即高通的專利收費模式。
眾所周知，高通在2G時代就擁有很多的標准必要專利，特別是CMDA，此後的3G技術很多也是基於CDMA基礎上發展起來的。3G技術包括CDMA2000、WCDMA以及TD-SCDMA三種標准，其中CDMA2000是由高通主導的，WCDMA則主要是由諾基亞、愛立信主導（他們都聲稱擁有20-30%的WCDMA專利，高通似乎只有10%），TD-SCDMA則由中國主導（主要是中興、華為、中國移動等廠商），具有一定自主知識產權（TD-SCDMA依然有部分採用了CDMA技術）。不過前兩者占據最大市場，TD-SCDMA則僅限於中國市場。雖說後兩者與高通似乎沒有直接關系，但是由於高通掌握CDMA的核心技術，所以不論是愛立信還是諾基亞，還是採用TD-SCDMA技術的中國廠商，都需要向高通繳納專利費。
而到了4G時代，則是FDD-LTE和TD-LTE兩種制式，雖然中國主導的TD-LTE具有自主知識產權，但是實際上兩種制式超過90%以上的專利都是共通的。根據此前高通壟斷案的一些資料顯示，由於高通仍然擁有不少LTE專利(無論TD-LTE還是FDD-LTE)，「經過國家發改委的調查和承認，高通仍可以對TD-LTE技術收取3.5%的專利費」。而這也正是眾多中國手機廠商在2016年都紛紛與高通簽署專利授權協議，乖乖上供的一個重要原因。
值得注意的是，高通為客戶提供的專利許可，並不只一件專利，而是一個包含3G(WCDMA和CDMA2000)及4G(LTE)無線通信標準的「專利包」。其中，除了高通自己研發的專利外，還包括高通通過交叉許可納入到自己的專利組合中的第三方專利。這就意味著與高通合作不僅可以使用高通的專利，還可以使用高通專利組合中的第三方專利，免除了很多知識產權方面的投入和風險，大大降低了初次投入成本和轉入門檻，因此全球絕大多數手機廠商都選擇與高通合作。
高通的專利收費模式主要有以下幾個部分：
一、收取「入門費」
首先，高通擁有很多3G、4G標准必要專利，而所謂「標准必要專利」，就是從3G、4G終端生產、製造都不能規避的專利且必須使用的專利。對於此類專利，高通會向需要使用這些專利的廠商收取「入門費」。
比如，任何手機廠商若想取得CDMA手機開發授權（非高通平台），就必須向高通繳納標准授權費。按照高通公司的規定，全世界不管是生產CDMA系統設備還是手機的公司，都要繳納「入門費」（據說CDMA是大約1億元人民幣）。所謂的「標准授權費」相當於對生產CDMA系統的設備或手機的公司收取的後續研發服務的費用。
如果是要基於高通平台來開發產品的企業，也需要先交的入門費（據說是200萬美元），交了入門費才有資格從事基於高通平台的產品的研發工作。接下來，對於開發不同的晶元平台還需要再繳納每個平台的開發費用，比如要開發基於驍龍800平台的產品，就需要繳納50萬美元的平台費用，而中低端的驍龍600/400平台則可能會少一些。
二、按整機定價來收取的專利使用費
即用了高通專利的智能手機製造商還需要按照每台整機售價的5%的比例向高通繳納專利使用費。根據此前高通向國家發改委提交的解決方案，對於在中國銷售的品牌設備，有使用到高通3G和4G必要專利許可的，高通將會對3G設備（包括3G/4G多模設備）收取5%的許可費，對包括3模LTE-TDD在內的4G設備，如不實施CDMA或WCDMA，則只收取3.5%的許可費。
這種收費模式也被外界稱之為「高通稅」。正式這種收購模式，也引發了很多終端廠商的不滿。此前，魅族就曾為此不惜與高通對簿公堂。這到底是為什麼呢？
我們以採用驍龍835的小米6為例，其6+64G版定價2499元，6+128G版定價2899元。如果以5%的整機定價的比例來向高通繳納專利使用費的話，每一台6+64G版的小米6需繳納124.95元，而6+128G版的小米6則需要繳納144.95元（多出了20元）。兩個版本同樣都是採用了驍龍835處理器，除了存儲容量上的差別之外，再無其他差別，而6+128G版的定價之所以高出了400元，也完全是由於存儲容量上的提升，顯然這部分價值的提升與高通並沒有任何直接的關系，那麼高通憑什麼要多收這400元的5%的專利使用費呢？這也是外界認為高通按整機定價來收取專利使用費的模式不合理的主要原因。
這里需要補充說明的是。2015年在中國發改委處罰了高通壟斷行為之後，中國廠商向高通繳納專利授權費的計算基數也不再是按照終端定價收取專利費，而是按照「設備銷售凈價的65%」來收取。等於是收費標准打了個65折。
而且，高通為了能夠向所有使用高通專利的終端廠商來按整機定價來收取專利使用費，使自己的利益最大話，高通還拒絕向其他晶元廠商授權。因為高通一旦向其他晶元廠商授權，那麼高通將無法再向購買這些晶元的整機廠商按照整機定價收取專利費。
在此前的「廣達訴LG案「中，LG將三項內存專利授權給英特爾公司，而英特爾又把自己生產的應用此技術的微處理器賣給廣達等電腦廠家。LG因此於2000年將廣達告上法院，要求廣達也必須支付專利費。2008年美國最高法院對此案作出最終判決，裁定LG公司在向英特爾收取了專利費後，就無權再向下游買家行使其專利權。該判決結束了專利廠家可以對第三方使用追訴專利使用費的歷史。
所以，高通的選擇不向晶元廠商授權，而是自己生產晶元，並與專利授權捆綁銷售給手機廠商，一邊向手機廠商出售晶元，一邊收取專利使用費。即使手機廠商使用聯發科等其他晶元廠商的晶元（如果有採用高通的技術），高通也能夠向這些終端廠商按整機收取專利費，比如此前的魅族。
雖然，外界對於高通以整機售價來收取專利使用費的方式存在爭議。但實際上，除了高通之外，愛立信、諾基亞、InterDigital等通信廠商，向手機行業相關廠商收取通信技術標准必要專利許可費時，也是按照整機售價的一定比例來收取的。只不過，他們的收費比例都比較低。比如，此前愛立信在3G專利上收取專利標準是整機售價的1%，InterDigital則是0.019%。
高通也一直堅稱其按整機售價收費的模式是完全合理的。今年8月，高通首席執行官史蒂夫·莫倫科普夫（Steve Mollenkopf）在接受媒體采訪時表示，「iPhone和其他設備多年來的技術進步都是通過高通的創新實現的——這就是為什麼蘋果和其他公司按照其終端的價格向高通支付其專利費。」沒有高通的技術，「你幾乎不能做任何事情，從獲取GPS定位到拍照，以訪問操作系統來做視頻和音頻編碼，」史蒂夫·莫倫科普夫說，「這是高通的IP。因此，給原始設備製造商（OEM）提供確定性的最好方法是在投資組合層面上獲得許可。」
蘋果攜手美國FTC，挑戰高通專利收費模式
今年1月17日，美國聯邦貿易委員會（以下簡稱FTC）對高通公司提起訴訟，指控高通的專利授權政策違反了聯邦法案，構成不正當競爭。
根據FTC披露的文件顯示，高通採取了「沒有授權就沒有晶元」（no license, no chips）的政策，即如果不向高通支付專利費用，高通便不會向其出售基帶晶元。同時，高通還拒絕向競爭對手提供標准要素專利的授權。顯然高通的這些做法似乎違反了公平競爭的原則。此外，FTC的文件也顯示，即便是一貫強勢的蘋果也不得不向高通妥協。根據聖何塞的聯邦法院的文件，當蘋果尋求降低高通的專利費用時，高通要求蘋果在2011年—2016年期間只能使用高通的基帶晶元，而不允許和其他廠商合作，這種做法明顯妨礙了正當競爭。
對於FTC的指控，高通進行了否認。並且數月之後，高通還提交文件要求FTC撤銷這一訴訟，理由是該機構缺乏事實依據，聽信高通競爭對手的片面之詞。
1月20日左右，蘋果公司在FTC向高通提起訴訟之後，也在美國正式起訴了高通，稱其非法利用手機晶元領域的壟斷地位，並要求其退還約10億美元承諾退還的專利使用費。3月2日，蘋果又在英國起訴了高通。
4月12日，高通向美國加州南區聯邦地方法院發出了一份長達134頁的說明，並控訴了蘋果的侵權行為。高通指出蘋果公司未能與高通進行誠信談判以獲得按照公平、合理和非歧視的條件使用高通的3G和4G標准必要專利的許可，並且還干涉了高通與為蘋果公司製造iPhone與iPad的廠商與高通之間的長期協議。此外高通還批評蘋果公司配合監管部門（FTC）攻擊高通業務並發表不實言論。
4月底，蘋果突然宣布從今年二季度開始拒絕向高通支付專利費，直到雙方的專利授權爭議得到解決。根據高通預估，蘋果此舉使得其iPhone專利費收入的全部損失大約在5億美元左右。
5月17日，高通在加州南區聯邦地區法院提起訴訟，指控蘋果的四家製造商，即富士康、和碩聯合、緯創資通以及仁寶違反了他們與高通之間的許可協議和其它承諾，並拒絕就使用高通向其許可的技術付費。
高通之所以會起訴蘋果代工廠，主要是因為過去一直以來，蘋果都是通過上述四家代工廠向高通支付的專利費。這也使得蘋果只需按照代工廠的出廠價向高通繳納專利使用費。
比如以蘋果iPhone 8為例，其起始定價為699美元，如果以5%的整機定價的比例來向高通繳納專利使用費的話，那麼每一台iPhone 8至少要向高通高達支付34.95美元（約合人民幣230元）的專利使用費，定價高達999美元起的iPhone X所需要支付的專利使用費則更是高達49.95美元（約合人民幣329元）。而高通賣給蘋果的基帶晶元價格也只有18美元（約合人民幣118.5元），這真是送基帶收專利費的節奏。
但是，如果iPhone 8按照代工廠的出廠價來計算的話，那麼所需支付的專利使用費將會大大降低。根據IHS Markit 估計，4.7英寸 iPhone 8的 64GB 版本，物料清單（BOM）成本為 247.51 美元，我們就按約250美元的出廠價來計算，蘋果每一台iPhone 8隻需向高通支付12.5美元（約合人民幣82元）的專利使用費。相比按照iPhone 8整機售價來收取的專利使用費減少了約2/3。
現在，蘋果與高通之間爭議的焦點就是，蘋果希望繼續按照原來出廠價來向高通繳納專利使用費，而高通則希望與蘋果的4家代工廠重新簽訂授權協議，以蘋果iPhone的整機售價來收取專利授權費。但是，高通與蘋果之間並無直接的專利許可協議合作，高通與上述4家代工廠的許可協議大多是在蘋果售出其第一台iPhone之前簽訂的，因此，高通無法直接起訴蘋果拒不支付專利使用費。所以，高通選擇直接起訴蘋果的4家代工廠來迫使蘋果回到談判桌上來。高通此舉意在解決歷史遺留問題，統一按「整機定價」來進行收費的收費標准，以使得自身利益的最大化。
7月7日，高通還向ITC（美國國際貿易委員會）提交訴訟，申請停售蘋果所有的基於Intel基帶的iPhone手機（包括進口）。高通在申請中指出，蘋果侵犯了6項高通專利。
不過，實際上基於Intel基帶的iPhone系列佔比並不大，對於蘋果來說，影響還不算太大。另外即便是ITC支持高通的禁售申請，這期間可能還需要等待很長的一段時間。據了解，ITC的調查最快會從8月開始，而通常情況下，這一過程長達18個月。所以在此期間，iPhone不會受到多少影響，依然可以在美國市場售賣。即便是高通勝訴，蘋果或許也可以通過上訴來拖延時間。當然，高通為了推進訴訟審理進度，同時還在南方地區法院也對蘋果進行了起訴。而高通此舉的主要目的也還是希望迫使蘋果回到談判桌上來，盡快支付專利費。
但是，面對高通的強硬，蘋果憑借其在高端智能手機市場的霸主地位，也依然是一如既往的強硬。畢竟這關乎到蘋果自己的切身利益，如果真的按照iPhone整機定價來繳納專利費的話，那麼蘋果真的成了替高通打工了。
所以，蘋果除了起訴高通壟斷之外，還積極拉攏英特爾、三星等廠商，積極的配合美國FTC對於高通的壟斷調查。今年5月，Intel和三星聯合向法院提交材料，支持FTC起訴高通，表示高通利用其在移動處理器行業的主導地位排擠行業對手。
此前，FTC就表示，高通授權的專利都屬於「標准要素專利」，意味著這些技術已經被業內企業廣泛採用，應當以公平、合理、不歧視的條款對外授權。也就是說高通應該以公平、合理、不歧視的原則，將「標准要素專利」向包括Intel、三星在內的企業授權。
目前英特爾已經是蘋果的基帶供應商，傳聞蘋果也正在考慮加入三星作為其新的基帶供應商，如果高通專利授權給了英特爾、三星，那麼高通將無法再次向蘋果收取專利使用費。相對於高通的按整機定價收費的模式，其他晶元廠商大多都是一次性收取一定授權費或按照每顆晶元收取少量授權費的模式。而一旦FTC的訴求得到法院的支持，並要求高通向其他晶元廠商開放授權，那麼高通按照整機定價授權專利費的模式無疑將會遭受重創。即便是，法院支持蘋果按照代工廠出廠價來繳納專利費，或者要求高通降低整機收費比例，這也將會引起連鎖反應，其他整機廠商也會向高通提出同樣的訴求，高通的專利收費模式也將會遭遇極大挑戰。
不過，對於蘋果之間的專利訴訟，高通CEO莫倫科夫則表現的很有信心，認為「高通會成功的，這需要時間」。
從目前來看，高通與蘋果之間仍然是處於激烈的對抗之中，不過，目前蘋果仍離不開高通，雖然傳聞蘋果有在研發自己的基帶晶元，但是想完全避開高通的通信專利，幾乎是不可能；而高通也不願丟掉蘋果這個極具價值的大客戶。未來雙方走向和解的可能性還是很大的。如果雙方來個魚死網破，對誰都不是明智之舉，現階段的僵持，或許也為了後續談判能夠擁有更多的籌碼。
作者：芯智訊-浪客劍

2、內存知識

內存的基本知識<---->
什麼是內存的「金手指」？
即內存的電路板與主板內存插槽的插腳，因其表面鍍金且為手指型故名「金手指」，而我們一般所說的168線等就是這些金屬插腳的數目。

什麼是PCB?
PCB(Printed Circuit Board)稱為」印刷電路板」，由環氧玻璃樹脂材料製成，按其信號層數的不同分為4、6、8層板，以4、6層板最為常見。晶元等貼片元件就貼在PCB上.

什麼是DRAM?
DRAM（Dynamic RAM）: 動態隨機存儲器。

什麼是SDRAM?
SDRAM（Synchronous DRAM）: 同步動態隨機存儲器。目前的168線64bit帶寬內存基本上都採用SDRAM晶元，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內存最快為15ns。並將RAM與CPU以相同時鍾頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間。所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。

什麼是DDR SDRAM?
DDR（Double Data Rate）SDRAM。其核心建立在SDRAM的基礎上，但在速度上有了提高。SDRAM僅在時鍾信號的上升沿讀取數據，而DDR在時鍾信號的上升沿和下降沿都讀取數據，因此，它的速度是標准SDRAM的2倍。

什麼是RDRAM?
RDRAM（Rambus DRAM）：匯流排式動態隨機存儲器，是由RAMBUS公司與INTEL公司合作提出的一項專利技術，它的數據傳輸率最高可達800MHZ，而它的匯流排寬度卻僅為16bit，遠遠小於現在的SDRAM的64bit。

什麼是SPD?
SPD(Serial Presence Detect): SPD是一顆8針的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 電可擦寫可編程只讀存儲器）, 容量為256位元組，裡面主要保存了該內存的相關資料，如容量、晶元廠商、內存模組廠商、工作速度等。SPD的內容一般由內存模組製造商寫入。支持SPD的主板在啟動時自動檢測SPD中的資料，並以此設定內存的工作參數。

什麼是內存的峰值帶寬?
峰值帶寬=工作頻率*內存匯流排寬度，如PC100內存峰值帶寬＝100MHz*64bit=800MByte，DDR266內存峰值帶寬＝266MHz*64bit=2.1GByte，PC800的Rambus內存峰值帶寬＝800MHz*16bit=1.6GByte。
1. 內存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區別？

單面內存與雙面內存的區別在於單面內存的內存晶元都在同一面上，而雙面內存的內存晶元分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區別就不同了。Bank從物理上理解為北橋晶元到內存的通道，通常每個通道為64bit。
一塊主板的性能優劣主要取決於它的晶元組。不同的晶元組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列晶元組支持4個Bank，而SiS的645系列晶元組則能支持6個Bank。如果主板只支持4個Bank，而我們卻用6個Bank的話，那多餘的2個Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。

2. 內存的2-2-3通常是什麼意思？

這些電腦硬體文章經常出現的參數就是在主板的BIOS裡面關於內存參數的設置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預充電時間，數值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延遲，數值越小越好；CL(CAS Latency)為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。

3.內存的雙通道技術和單通道有什麼不同？

什麼是雙通道DDR技術呢？需要說明的是，它並非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2條D D R內存共同使用，數據並行傳輸的技術。雙通道DDR技術的優勢在於，它可以讓內存帶寬在原來的基礎上增加一倍，這對於P 4處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端匯流排的P 4 A處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端匯流排的P4B處理器更是達到了4.3G B/s，而P4C處理器更是達到了800MHZ 前端匯流排從而需要6. 4 G的內存帶寬。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66規范外，根本沒有內存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7G B/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G /s的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內存，理論上提供2倍DDR400的帶寬。將從而根本的解決了CPU和內存之間的瓶頸問題。

4.DDR-Ⅱ和現在的DDR內存有什麼不同？

DDR-II內存是相對於現在主流的DDR-I內存而言的，它們的工作時鍾預計將為400MHz或更高。主流內存市場將從現在的DDR-400產品直接過渡到DDR-II。目前DDR-II內存將採用0.13微米工藝，將來會過度到90納米，工作頻率也會超過800MHZ。

大家總是碰到種種故障，而內存的故障也經常偽裝成軟體的故障，比如開機總是顯示注冊表載入錯誤等等，以下羅列幾種常見故障：
一、最常見故障：內存損壞，導致開機內存報警

這種故障大家經常遇到，多數是頭天晚上還好好的，第二天早晨一開機，聽到的不是平時「嘀」的一聲，而是「嘀，嘀，嘀...」響個不停，顯示器也沒有圖像顯示。這種故障多數時候是因為電腦的使用環境不好，濕度過大，在長時間使用過程中，內存的金手指表面氧化，造成內存金手指與內存插槽的接觸電阻增大，阻礙電流通過，因而內存自檢錯誤。表現為一開機就「嘀嘀」的響個不停，也就是我們通常所說的「內存報警」。

處理方法也很簡單，就是取下內存，使用橡皮將內存兩面的金手指仔細的擦洗干凈，再插回內存插槽就可以了。

注意：在擦洗金手指時，一定不要用手直接接觸金手指，因為手上汗液會附著在金手指上，在使用一段時間後會再次造成金手指氧化，重復出現同樣的故障。

不過，此類內存報警還有其他幾種原因：

1.內存與主板兼容性不好

把內存插在其他主板上，長時間運行穩定可靠；把其他內存插在故障主板上也運行可靠穩定，沒有報警出現。但是把二者放在一起，就出現「嘀嘀」的報警聲。此類故障只能更換內存來解決。

2.主板的內存插槽質量低劣

表現為更換多個品牌內存都出現「嘀嘀」的報警聲，偶爾有某一個內存不報警，但可能關機重啟後又會報警。此類故障的主要出現在二三百元的低檔的主板上，原因是主板的價格低，使用的內存插槽質量也差，只能更換主板解決。

3.內存某晶元故障

此類故障相對比較嚴重，在開機自檢時主機能夠發現內存存在錯誤缺陷，不能夠通過自檢，發出「嘀嘀」的報警聲，提示用戶檢查內存。這種故障要把內存插在其他主機上，檢查是否有同樣的「嘀嘀」聲。如果有，就可以斷定是內存有問題；如果沒有，就可能屬於上述第1個或每2個原因。

4.其他故障造成的內存報警

這類故障不常見，有可能是主板故障或CPU故障，造成內存報警，只能用排除法逐一替換解決。

二、常見故障1：內存損壞導致系統經常報注冊表錯誤

這類故障比較常見，表現為能夠正常啟動系統，但是在進入桌面時，系統會提示注冊表讀取錯誤，需要重新啟動電腦修復該錯誤，但是再次啟動電腦後，仍舊是同樣的故障。對於此類問題，我們可以進入安全模式，在運行中敲入「MSCONFIG」命令，將「啟動」項中的ScanRegistry前面的「V」去除，然後再重新啟動電腦。如果故障排除，說明該問題真的是由注冊表錯誤引起的；如果故障仍然存在，基本上就可以斷定該機器內存有問題，這時需要使用替換法，換上性能良好的內存條檢驗是否存在同樣的故障。

有時候，長時間不進行磁碟碎片整理，沒有進行錯誤檢查時，也會造成系統錯誤而提示注冊表錯誤，但對於此類問題在禁止運行「ScanRegistry」後，系統就可以正常運行，但速度會明顯的變慢。對於此類問題，解決的最好方法就是先備份重要資料，然後重新安裝系統。 ：）

三、常見故障2：內存損壞導致安裝系統時出錯。

提示「解壓縮文件時出錯，無法正確解開某一文件」

這類故障常見於安裝系統過程中，會經常意外的退出安裝。實際上這也經常是因為內存的質量不良或穩定性差造成的，多數問題在更換內存後故障解決。此類問題無論是直接從光碟安裝還是從硬碟安裝都會出現同樣的提示信息。雖然有點類似於我們在安裝WIN98、WIN2K及XP過程遇到的無法正常讀取某一文件，請選擇「忽略，終止，放棄」，但那類問題多數是因為光碟的質量差或光碟機的使用時間過久，讀盤性能下降造成的，同時還會有光碟機燈慢閃，並伴隨著間斷讀盤時的「嘩嘩」聲。

如果我們在維修電腦故障過程中遇到此問題時，最好直接更換內存檢測，看是否仍舊出現同樣的故障。如故障消失，說明原來內存有問題；如果故障依舊，多數是因為光碟質量差或光碟機讀盤下降造成的，也可能是硬碟上的系統安裝文件損壞。

四、內存短路導致主機無法加電

這種情況內存損壞得比較嚴重，但是內存晶元表面，金手指、阻容並不一定有明顯的燒灼痕跡，有時和完好的內存條子一模一樣。不過將此內存插入主板後，主板無法加電。當把電源插入電源插頭後，按下電源開關，主機無任何反應，CPU風扇和電源風扇都不工作，電源指示燈也不亮，和沒有加電時一模一樣。

故障的判別也很簡單，使用排除法和最小系統法。如果遇到一台主機是此類的故障現象，第一步是排除電源故障，如果手中有其他正常電源最好，直接替換。如果沒有，可將電源取下，用導線直接短路綠線和黑線，觀察電源風扇是否工作，並用耳朵仔細聆聽電源內部是否有吱吱的異響。如果有說明電源有問題，質量不穩定，需要更換。第二步是將音效卡、Modem、硬碟、光碟機、軟碟機、顯卡、內存、CPU全部去除，只留下CPU風扇，再插入DEBUG卡（如果沒有，那需要觀察CPU風扇和電源風扇是否轉動），開始對主板加電，觀察DEBUG卡的指示燈和數碼管是否有指示；然後再插入CPU，加電試機；接著再插入內存，一步一步的添加其他部件。如果到某一部件時出現上述的故障現象，那就說明是該部件有問題，需要更換或維修。此方法對於排除系統啟動速度慢，死機等也適用。

五、內存損壞導致系統運行不穩定

經常出現藍屏或無法正常順利安裝系統，總無規律的提示文件讀取或解壓錯誤

對於此類問題，首先應排除軟體問題。第一步，先對C盤的重要數據進行備份，然後使用「Format C:/u /c /s」命令對C盤進行強制完全格式化，並仔細觀察格式化過程，是否格式化順利，硬碟是否有壞道。因為硬碟壞道會使系統文件被破壞，造成系統運行不穩定，容易死機。第二步，重新安裝操作系統，並注意觀察在安裝過程中是否有文件無法打開，文件找不到之類的錯誤。如果沒有，基本上就說明硬體方面沒有問題，系統不穩定，容易死機，很有可能是系統長時間使用，沒有定期進行磁碟掃描和碎片整理，造成系統文件過多的丟失或破壞，而導致系統無法正常穩定的工作。如果在安裝過程中出現藍屏，就需要使用排除法，對內存和CPU進行替換排除。在對CPU和內存替換後故障依舊時，那就必須更換主板進行查驗。

說明：有些光碟機的讀盤性能非常好，在使用兩三年後，還是「嗚嗚」的高速讀盤，但是此時因其糾錯率下降，使光碟機讀入的錯誤數據過多。這些數據如果是用來播放VCD，那不會產生特別大的影響，但是這類光碟機讀入的數據用於安裝系統就極可能會出現上面的類似錯誤，報文件找不到或解壓錯誤，即使偶爾安裝成功，也經常出現「非法操作」，系統非常的不穩定。這類故障比較難於判斷，會被判別為內存和CPU的問題，而耽誤好多維修時間。

六、內存損壞，導致計算機頻繁重啟，無法正常運行

對於此類故障，先直接更換內存，看故障是否還仍然出現。如果故障消失，就可以直接判斷是內存故障。如果故障依舊，那就需要按第五種故障的排除方法，重新安裝操作系統，檢查是不是由於系統的原因造成的。

計算機自動重啟的故障原因比較多，較常見的是電源功率不足。當計算機滿負荷工作，消耗的電力大時，就容易自動重啟。還有就是市電電壓不穩，變化范圍太大或者市電的電源插座接觸不良也會產生計算機自動重啟故障。但內存損壞後造成計算機自動重啟的故障並不多見。

七、內存損壞導致系統啟動後不能正常運行，快進入桌面時就自動關機

此問題也需要採用第五類故障中的排除方法解決。

提示一點：因為WIN98系統本身的問題，該操作系統很容易遭到破壞。如果我們把C:\WINDOWS\FONTS的目錄名改為其他字母，這時當你再啟動系統時，系統就會在出現藍天白雲後，快進入桌面時自動關機。解決的方法也很簡單，在啟動時按住「CRTL」進入DOS狀態，使用REN命令將該目錄名改為「FONTS」就可以了。如果是人為的破壞系統，那將會使計算機維修人員費很大的周折，浪費好多的時間，所以做為計算機的服務人員，也應該了解一些操作系統的啟動原理和主要文件。

其餘幾種故障

八、內存損壞導致光碟機狂讀

此類問題我遇到過兩次，都是一模一樣的表現。只要一開機，自檢過後，快進入系統時，光碟機開始「嗚嗚」的高速旋轉。即使你不放入光碟它也照轉，挺嚇人的。在自檢過程中也沒有任何錯誤提示，但是在使用替換法更換內存後故障消失。把故障內存放在別的機器上（主板不一樣），開機就「嘀嘀」的報警。

九、內存損壞但加電後主機不報警，也不能正常啟動

故障機器：主板為碩泰克SL-85DR-C(845D)，CPU為PIV1.6G，顯卡為GForce2 Ti 64M，內存為Kingston DDR 128M，硬碟為邁拓40G。

故障現象：主機能夠加電，按下電源開關後，CPU風扇，顯卡風扇轉動，電源指示燈，硬碟指示燈亮，但是沒有正常啟動時「嘀」的一聲，顯示器顯示「請檢查信號線連接」字樣。

故障排除：仔細觀察發現有一個特殊的現象，插入DEBUG卡，加電後，顯示「03」，大約4秒鍾時，主機斷電，電源指示燈熄。再過大約2秒鍾，主機再次得電，此時「DEBUG」指示由00經03再跳至「AD」後停止，CPU風扇一直轉動，但是始終主機不啟動。

對於此類黑屏不啟動的故障，採用最小系統逐一排除法最有效，首先去掉內存，加電試機，這時主機會叫了，連續報「嘀嘀嘀」三短聲一組的報警聲。查知：3短系統基本內存(第1個64K)檢查失敗。這不同於一般內存報警的連續「嘀」聲，但可以估計是內存出現問題。

於是把內存插到驗機台上，一開機就是連續的「嘀嘀」聲，果真內存壞了。

十、內存有問題，但開機後卻是連續的八聲短「嘀」報警

我們平時遇到的內存報警都是「嘀嘀」的斷續長音，但是在華擎主板ASROCK M266A主板上，內存損壞時，報警聲卻是連續的八聲短「嘀」，八聲一組。在我第一次遇到此類故障時，也不知道原因所在，因為系統不啟動，只有使用DEBUG卡，發現錯誤代碼指示的是內存，就再用替換法，發現是內存問題。把該內存插在其他主板上，提示的錯誤就是我們經常遇到的連續短「嘀」了。

因為PC機使用的是通用插卡，維修起來也非常簡單，只要遵循「先軟後硬，最小系統，逐一排除，望聞問切」這十六個字，所有的問題我們都可以解決。再有就是在維修過程中，我們必須經常總結，把平時自己遇到的問題寫下來，發現其規律，就能獲得新的知識，更加進步。
呵呵，DDR2（也寫作DDRII），與雙通道不是一回事。
雙通道其實是一種技術，需要兩根內存條來實現，
而且要求主板支持此項技術；
而DDRII則是指內存類型，與SD、DDR相區別，也可以理解為
「第二代DDR」，所以與「雙通道」一點關系也沒有。

3、一部手機涉及那些技術專利

目前來看，任何一部手機至少有數十萬件專利。
首先設計，手機的外觀可能有多個外觀設計專利，比如聽筒的位置、形狀；背面的形狀；整體的形狀、尺寸；軟體界面風格等。
第二材料，手機中用到的材料可能有多個專利，比如外殼材料本身的專利，材料製作工藝，材料製成手機各個部件時的工藝專利。
第三功能，手機中各種應用功能可能有很多專利，具體到通話，簡訊，微信，游戲等等，都可能有專利。
第四部件，手機中各個部件每一個均可能有多個專利，比如電池、CPU、內存、攝像頭、各種感測器，電源介面、USB介面，以及這些部件間的交互等。
第五內部結構，手機中各個部件的擺放，如何做的輕薄，如何散熱，如何布線等等，可能有眾多發明專利和實用新型專利。
第六協議，這個是專利最多的，以4G手機為例，其要用到4G、3G、2G等基礎專利，每項通信協議均有數萬件專利甚至不止，否則手機將無法實現通信功能。其他包括藍牙協議，wifi協議等，每種協議也有眾多專利，還有各種音視頻解碼協議，比如MP3，mp4，甚至jpeg圖片，文字等解析，都有協議，專利量都是巨大的。
以上僅是初步列舉，掛一漏萬。
由此可見，手機是當前電子通信領域專利技術十分集中的產品，是眾多科技人員智慧的結晶，才使它用著很好用，很方便。由於其專利密集，這也是手機領域專利訴訟很頻繁的原因之一。

4、計算機中內存包括哪3類？

計算機當前主要有三種內存，它們分別是：SDRAM（Synchronous Dynamic RAM），DDR-SDRAM(Double Data Rate SDRAM)以及RDRAM（RAMBUS Dynamic RAM）。這篇文章將詳細討論這三種內存，注意當前市場的主流內存DDR-SDRAM已經又劃分出若干版本（如DDR-II或GDDR3），這里只是統一介紹DDR-SDRAM的特點。

SDRAM（同步動態隨機存取存儲器）

SDRAM是早期內存EDO（Extended Data Output）DRAM內存的改進版本。EDO常見於486或老奔系統上面，其主要缺點在於內存頻率和系統頻率不一致（不同步），這樣將隨機出現延遲和等待狀態（處理器等待內存傳輸可用的數據），因此對系統的整體性能影響巨大。SDRAM初始頻率為66MHz，這和當時的系統頻率相一致。同步的好處顯而易見，能夠消除不必要的等待時間，盡量保證系統穩定高速的運行。除此之外SDRAM還能夠在一個時鍾周期之內完成數據存儲請求和取回操作，並且能夠在下一個時鍾周期內准備好數據的傳輸和接收工作。

DDR-SDRAM（Double Data SDRAM）

在SDRAM規格之後，DDR-SDRAM的出現又是一次技術的進步。隨著處理器時鍾頻率和前端匯流排頻率的飛速提升，處理器在一段時間內能夠處理的數據總量變得越來越巨大。例如當前的INTEL和AMD的主力產品Pentium 4和Athlon XP的運算速度已經達到了每秒數十億次的驚人程度。僅僅從晶元的時鍾頻率看，處理器的性能已經非常了不起了，但由於有限的內存帶寬，系統整體性能仍然受到了局限，因此傳統的SDRAM內存已經不能夠滿足新處理器對數據的需求。

DDR-SDRAM在原有的SDRAM基礎上使每一個時鍾周期輸出的數據變為兩倍，相當於達到了同頻率的SDRAM的最大理論帶寬的兩倍，從而極大地提升了原本緊缺的內存帶寬。DDR-SDRAM輸送和接受的數據都明顯要多於SDRAM。這對於當前的Athlon XP和Pentium4來說是最合適的搭配了，為了適應不同匯流排頻率的處理器，DDR-SDRAM也衍生出多種不同速率的內存模塊。

DDR-SDRAM採用184針DIMM模塊，目前主要有以下幾種速率：PC1600（200MHz），PC2100（266MHz），PC2700（333MHz），PC3200（400MHz），PC3500（433MHz），PC3700（466MHz），PC400（500MHz），PC4200（533MHz）和PC4400（566MHz）。名稱中的第一個數字，如「PC2100」意為此內存模塊的最大帶寬，也就是每秒最大能夠提供多少MB的數據。後面的MHz是此內存運行時的時鍾速率。單根DDR-SDRAM的容量從64MB到2GB不等。

RDRAM（RAMBUS Dynamic RAM）

RDRAM在現在的桌面PC市場上面已經基本絕跡。和DDR-SDRAM不同，RDRAM是一種專利內存標准，由RAMBUS開發研製成功。在1998年RDRAM第一次通過INTEL的鼎力協助進入桌面電腦市場，和高端的Pentium III以及早期的Pentium 4捆綁銷售。不過遺憾的是，RAMBUS很快便因為內存技術專利費用的問題捲入了與英飛凌和現代等眾多內存生產商的一系列官司糾紛中。

由於RAMBUS對RDRAM技術收取專利費用，導致RDRAM價格昂貴，從而抑制了Pentium 4市場的銷售，引發了INTEL的不滿。再加上一系列的官司讓眾多內存生產商聯合起來抵制RDRAM，轉而生產DDR-SDRAM，讓RDRAM失去了佔領家庭用戶和PC發燒友市場最好的機會。

5、內存類型有哪幾種?

經常見到的內存按出現的先後為：EDO,SD,DDR,DDR2,DDR3。

而實際上內存種類很多。

根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：

01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）：

這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。

02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）

靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。

03.VRAM（Video RAM，視頻內存）

它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）

改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）

這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。

06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）

這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。

07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）

MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。

08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）

韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）

Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）

這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）

SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）

一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）

CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）

作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）

這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）

這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。

17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)

DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)

是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。

6、內存的知識

內存在電腦中起著舉足輕重的作用。內存一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。

通常所說的內存即指電腦系統中的RAM。RAM要求每時每刻都不斷地供電，否則數據會丟失。

如果在關閉電源以後RAM中的數據也不丟失就好了，這樣就可以在每一次開機時都保證電腦處於上一次關機的狀態，而不必每次都重新啟動電腦，重新打開應用程序了。但是RAM要求不斷的電源供應，那有沒有辦法解決這個問題呢?隨著技術的進步，人們想到了一個辦法，即給RAM供應少量的電源保持RAM的數據不丟失，這就是電腦的休眠功能，特別在Win2000里這個功能得到了很好的應用，休眠時電源處於連接狀態，但是耗費少量的電能。

按內存條的介面形式，常見內存條有兩種：單列直插內存條（SIMM），和雙列直插內存條（DIMM）。SIMM內存條分為30線，72線兩種。DIMM內存條與SIMM內存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。

按內存的工作方式，內存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。

FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器：這是較早的電腦系統普通使用的內存，它每個三個時鍾脈沖周期傳送一次數據。

EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM 擴展數據輸出隨機存取存儲器：EDO內存取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔，他每個兩個時鍾脈沖周期輸出一次數據，大大地縮短了存取時間，是存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內存已經被SDRAM所取代。

S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

RDRAM（RAMBUS DRAM） 存儲器匯流排式動態隨機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統帶寬，晶元到晶元介面設計的新型DRAM，他能在很高的頻率范圍內通過一個簡單的匯流排傳輸數據。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鍾脈沖的兩邊沿傳輸數據。INTEL將在其820晶元組產品中加入對RDRAM的支持。

內存的參數主要有兩個：存儲容量和存取時間。存儲容量越大，電腦能記憶的信息越多。存取時間則以納秒（NS）為單位來計算。一納秒等於10^9秒。數字越小，表明內存的存取速度越快。

7、誰知道內存的發展史?

內存發展史

在了解內存的發展之前，我們應該先解釋一下幾個常用詞彙，這將有助於我們加強對內存的理解。
RAM就是RandomAccessMemory（隨機存貯器）的縮寫。它又分成兩種StaticRAM（靜態隨機存貯器）和DynamicRAM（動態隨機存貯器）。
SRAM曾經是一種主要的內存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存數據不丟失。它以雙穩態電路形式存儲數據，結構復雜，內部需要使用更多的晶體管構成寄存器以保存數據，所以它採用的矽片面積相當大，製造成本也相當高，所以現在只能把SRAM用在比主內存小的多的高速緩存上。隨著Intel將L2高速緩存整合入CPU（從Medocino開始）後，SRAM失去了最大應用需求來源，還好在行動電話從模擬轉向數字的發展趨勢中，終於為具有省電優勢的SRAM尋得了另一個需求成長的契機，再加上網路伺服器、路由器等的需求激勵，才使得SRAM市場勉強得以繼續成長。

DRAM，顧名思義即動態RAM。DRAM的結構比起SRAM來說要簡單的多，基本結構是一隻MOS管和一個電容構成。具有結構簡單、集成度高、功耗低、生產成本低等優點，適合製造大容量存儲器，所以現在我們用的內存大多是由DRAM構成的。所以下面主要介紹DRAM內存。在詳細說明DRAM存儲器前首先要說一下同步的概念，根據內存的訪問方式可分為兩種：同步內存和非同步內存。區分的標準是看它們能不能和系統時鍾同步。內存控制電路（在主板的晶元組中，一般在北橋晶元組中）發出行地址選擇信號（RAS）和列地址選擇信號（CAS）來指定哪一塊存儲體將被訪問。在SDRAM之前的EDO內存就採用這種方式。讀取數據所用的時間用納秒錶示。當系統的速度逐漸增加，特別是當66MHz頻率成為匯流排標准時，EDO內存的速度就顯得很慢了，CPU總要等待內存的數據，嚴重影響了性能，內存成了一個很大的瓶頸。因此出現了同步系統時鍾頻率的SDRAM。DRAM的分類FPDRAM：又叫快頁內存，在386時代很流行。因為DRAM需要恆電流以保存信息，一旦斷電，信息即丟失。它的刷新頻率每秒鍾可達幾百次，但由於FPDRAM使用同一電路來存取數據，所以DRAM的存取時間有一定的時間間隔，這導致了它的存取速度並不是很快。另外，在DRAM中，由於存儲地址空間是按頁排列的，所以當訪問某一頁面時，切換到另一頁面會佔用CPU額外的時鍾周期。其介面多為72線的SIMM類型。EDODRAM：EDORAM――ExtendedDateOutRAM——外擴充數據模式存儲器，EDO-RAM同FPDRAM相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，其介面方式多為72線的SIMM類型，但也有168線的DIMM類型。EDODRAM這種內存流行在486以及早期的奔騰電腦上。當前的標準是SDRAM（同步DRAM的縮寫），顧名思義，它是同步於系統時鍾頻率的。SDRAM內存訪問採用突發（burst）模式，它和原理是，SDRAM在現有的標准動態存儲器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鍾同步所有的地址數據和控制信號。使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。在功能上，它類似常規的DRAM，也需時鍾進行刷新。可以說，SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而適應高速系統的需要的呢？我們知道，原先我們使用的動態存儲器技術都是建立在非同步控制基礎上的。系統在使用這些非同步動態存儲器時需插入一些等待狀態來適應非同步動態存儲器的本身需要，這時，指令的執行時間往往是由內存的速度、而非系統本身能夠達到的最高速率來決定。例如，當將連續數據存入CACHE時，一個速度為60ns的快頁內存需要40ns的頁循環時間；當系統速度運行在100MHz時(一個時鍾周期10ns)，每執行一次數據存取，即需要等待4個時鍾周期！而使用SDRAM，由於其同步特性，則可避免這一時。SDRAM結構的另一大特點是其支持DRAM的兩列地址同時打開。兩個打開的存儲體間的內存存取可以交叉進行，一般的如預置或激活列可以隱藏在存儲體存取過程中，即允許在一個存儲體讀或寫的同時，令一存儲體進行預置。按此進行，100MHz的無縫數據速率可在整個器件讀或寫中實現。因為SDRAM的速度約束著系統的時鍾速度，它的速度是由MHz或ns來計算的。SDRAM的速度至少不能慢於系統的時鍾速度，SDRAM的訪問通常發生在四個連續的突發周期，第一個突發周期需要4個系統時鍾周期，第二到第四個突發周期只需要1個系統時鍾周期。用數字表示如下：4-1-1-1。順便提一下BEDO（BurstEDO）也就是突發EDO內存。實際上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因為Intel的晶元組支持SDRAM，由於INTEL的市場領導地位幫助SDRAM成為市場的標准。

DRAMR的兩種介面類型DRAM主要有兩種介面類型，既早期的SIMM和現在的標准DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryMole的簡寫，即單邊接觸內存模組，這是486及其較早的PC機中常用的內存的介面方式。在更早的PC機中（486以前），多採用30針的SIMM介面，而在Pentium中，應用更多的則是72針的SIMM介面，或者是與DIMM介面類型並存。DIMM是DualIn-LineMemoryMole的簡寫，即雙邊接觸內存模組，也就是說這種類型介面內存的插板的兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針，但由於是雙邊的，所以一共有84×2=168線接觸，故而人們經常把這種內存稱為168線內存，而把72線的SIMM類型內存模組直接稱為72線內存。DRAM內存通常為72線，EDO-RAM內存既有72線的，也有168線的，而SDRAM內存通常為168線的。新的內存標准在新的世紀到來之時，也帶來了計算機硬體的重大改變。計算機的製造工藝發展到已經可以把微處理器（CPU）的時鍾頻率提高的一千兆的邊緣。相應的內存也必須跟得上處理器的速度才行。現在有兩個新的標准，DDRSDRAM內存和Rambus內存。它們之間的競爭將會成為PC內存市場競爭的核心。DDRSDRAM代表著一條內存逐漸演化的道路。Rambus則代表著計算機設計上的重大變革。從更遠一點的角度看。DDRSDRAM是一個開放的標准。然而Rambus則是一種專利。它們之間的勝利者將會對計算機製造業產生重大而深遠的影響。

RDRAM在工作頻率上有大幅度的提升，但這一結構的改變，涉及到包括晶元組、DRAM製造、封裝、測試甚至PCB及模組等的全面改變，可謂牽一發而動全身。未來高速DRAM結構的發展究竟如何？

Intel重新整裝再發的820晶元組，是否真能如願以償地讓RDRAM登上主流寶座？PC133SDRAM：PC133SDRAM基本上只是PC100SDRAM的延伸，不論在DRAM製造、封裝、模組、連接器方面，都延續舊有規范，它們的生產設備相同，因此生產成本也幾乎與PC100SDRAM相同。嚴格來說，兩者的差別僅在於相同製程技術下，所多的一道「篩選」程序，將速度可達133MHz的顆粒挑選出來而已。若配合可支持133MHz外頻的晶元組，並提高CPU的前端匯流排頻率（FrontSideBus）到133MHz，便能將DRAM帶寬提高到1GB/sec以上，從而提高整體系統性能。DDR-SDRAM：DDRSDRAM（DoubleDataRateDRAM）或稱之為SDRAMⅡ，由於DDR在時鍾的上升及下降的邊緣都可以傳輸資料，從而使得實際帶寬增加兩倍，大幅提升了其性能／成本比。就實際功能比較來看，由PC133所衍生出的第二代PC266DDRSRAM（133MHz時鍾×2倍數據傳輸＝266MHz帶寬），不僅在InQuest最新測試報告中顯示其性能平均高出Rambus24.4％，在Micron的測試中，其性能亦優於其他的高頻寬解決方案，充份顯示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。DirectRambus-DRAM：RambusDRAM設計與以往DRAM很大的不同之處在於，它的微控制器與一般內存控制器不同，使得晶元組必須重新設計以符合要求，此外，數據通道介面也與一般內存不同，Rambus以2條各8bit寬（含ECC則為9bit）的數據通道（channel）傳輸數據，雖然比SDRAM的64bit窄，但其時鍾頻率卻可高達400MHz，且在時鍾的上升和下降沿都能傳輸數據，因而能達到1.6GB／sec的尖峰帶寬。

各種DRAM規格之綜合比較數據帶寬：從數據帶寬來看，傳統PC100在時鍾頻率為100MHz的情況下，尖峰數據傳輸率可達到800MB／sec。若以先進0.25微米線程製造的DRAM，大都可以「篩選」出時鍾頻率達到133MHz的PC133顆粒，可將尖峰數據傳輸率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及晶元組能配合，就可提高整體系統性能。此外，就DDR而言，由於其在時鍾上升和下降沿都能傳輸數據，所以在相同133MHz的時鍾頻率下，其尖峰數據傳輸將可大幅提高兩倍，達到2.1GB／sec的水準，其性能甚至比現階段Rambus所能達到的1.6GB／sec更高。
傳輸模式：傳統SDRAM採用並列數據傳輸方式，Rambus則採取了比較特別的串列傳輸方式。在串列的傳輸方式之下，資料信號都是一進一出，可以把數據帶寬降為16bit，而且可大幅提高工作時鍾頻率（400MHz），但這也形成了模組在數據傳輸設計上的限制。也就是說，在串接的模式下，如果有其中一個模組損壞、或是形成斷路，便會使整個系統無法正常開機。因此，對採用Rambus內存模組的主機板而言，便必須將三組內存擴充插槽完全插滿，如果Rambus模組不足的話，只有安裝不含RDRAM顆粒的中繼模組（ContinuityRIMMMole；C-RIMM），純粹用來提供信號的串接工作，讓數據的傳輸暢通。模組及PCB的設計：由於Rambus的工作頻率高達400MHz，所以不管是電路設計、線路布局、顆粒封裝及記憶模組的設計等，都和以往SDRAM大為不同。以模組設計而言，RDRAM所構成的記憶模組稱之為RIMM（RambusInMemoryMole），目前的設計可採取4、6、8、12與16顆等不同數目的RDRAM顆粒來組成，雖然引腳數提高到了184隻，但整個模組的長度卻與原有DIMM相當。另外，在設計上，Rambus的每一個傳輸信道所能承載的晶元顆粒數目有限（最多32顆），從而造成RDRAM內存模組容量將有所限制。也就是說，如果已經安裝了一隻含16顆RDARM顆粒的RIMM模組時，若想要再擴充內存，最多隻能再安裝具有16顆RDARM的模組。另外，由於RDARM在高頻下工作將產生高溫，所以RIMM模組在設計時必須加上一層散熱片，也增加了RIMM模組的成本。
顆粒的封裝：DRAM封裝技術從最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。從現在主流SDRAM的模組來看，除了勝創科技首創的TinyBGA技術和樵風科技首創的BLP封裝模式外，絕大多數還是採用TSOP的封裝技術。
隨著DDR、RDRAM的陸續推出，將內存頻率提高到一個更高的水平上，TSOP封裝技術漸漸有些力不從心了，難以滿足DRAM設計上的要求。從Intel力推的RDRAM來看，採用了新一代的μBGA封裝形式，相信未來DDR等其他高速DRAM的封裝也會採取相同或不同的BGA封裝方式。盡管RDRAM在時鍾頻率上有了突破性的進展，有效地提高了整個系統性能，但畢竟在實際使用上，其規格與現階段主流的SDRAM有很大的差異，不僅不兼容於現有系統晶元組而成了Intel一家獨攬的局面。甚至在DRAM模組的設計上，不僅使用了最新一代的BGA封裝方式，甚至在電路板的設計上，都採取用了8層板的嚴格標准，更不用說在測試設備上的龐大投資。使得大多數的DRAM及模組廠商不敢貿然跟進。
再說，由於Rambus是個專利標准，想生產RDRAM的廠商必須先取得Rambus公司的認證，並支付高額的專利費用。不僅加重了各DRAM廠商的成本負擔，而且它們擔心在制定未來新一代的內存標准時會失去原來掌握的規格控制能力。
由於RIMM模組的顆粒最多隻能為32顆，限制了Rambus應用，只能用在入門級伺服器和高級PC上。或許就PC133而言，在性能上無法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技術後，其數據帶寬可達到2.1GB／sec，不僅領先Rambus所能達到的1.6GB／sec標准，而且由於其開放的標准及在兼容性上遠比Rambus高的原故，估計將會對Rambus造成非常大的殺傷力。更何況台灣在威盛與AMD等聯盟的強力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼風喚雨，也成了未知數。至少，在低價PC及網路PC方面，Rambus的市場將會很小。

結論：盡管Intel採取了種種不同的策略布局及對策，要想挽回Rambus的氣勢，但畢竟像Rambus這種具有突破性規格的產品，在先天上便存在有著諸多較難克服的問題。或許Intel可以藉由更改主機板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM與RDRAM共同存在的過渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser）等方式來解決技術面上的問題。但一旦涉及規模量產成本的控制問題時，便不是Intel所能一家獨攬的，更何況在網路趨勢下的計算機應用將愈來愈趨於低價化，市場需求面是否對Rambus有興趣，則仍有待考驗。 在供給方面，從NEC獨創的VCMSDRAM規格（VirtualChannelMemory）、以及Samsung等DRAM大廠對Rambus支持態度已趨保守的情況來看，再加上相關封裝及測試等設備上的投資不足，估計年底之前，Rambus內存模組仍將缺乏與PC133甚至DDR的價格競爭力。就長遠的眼光來看，Rambus架構或許可以成為主流，但應不再會是主導市場的絕對主流，而SDRAM架構（PC133、DDR）在低成本的優勢，以及廣泛的應用領域，應該會有非常不錯的表現。相信未來的DRAM市場，將會是多種結構並存的局面。

具最新消息，可望成為下一世代內存主力的RambusDRAM因晶元組延遲推出，而氣勢稍挫的情況之下，由全球多家半導體與電腦大廠針對DDRSDRAM的標准化，而共同組成的AMII（、）陣營，則決定積極促進比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600與PC2100DDRSDRAM規格的標准化，此舉使得RambusDRAM與DDRSDRAM的內存主導權之爭，邁入新的局面。全球第二大微處理器製造商AMD，決定其Athlon處理器將採用PC266規格的DDRSDRAM，而且決定在今年年中之前，開發支持DDRSDRAM的晶元組，這使DDRSDRAM陣營深受鼓舞。全球內存業者極有可能將未來投資的重心，由RambusDRAM轉向DDRSDRAM。
綜上所述，今年DDRSDRAM的發展勢頭要超過RAMBUS。而且DDRSDRAM的生產成本只有SDRAM的1.3倍，在生產成本上更具優勢。未來除了DDR和RAMBUS外還有其他幾種有希望的內存產品，下面介紹其中的幾種：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步鏈接內存)：SLDRAM也許是在速度上最接近RDRAM的競爭者。SLDRAM是一種增強和擴展的SDRAM架構，它將當前的4體（Bank）結構擴展到16體，並增加了新介面和控制邏輯電路
。SLDRAM像SDRAM一樣使用每個脈沖沿傳輸數據。
VirtualChannelDRAM：VirtualChannel「虛擬信道」是加裝在內存單元與主控晶元上的內存控制部分之間，相當於緩存的一類寄存器。使用VC技術後，當外部對內存進行讀寫操作時，將不再直接對內存晶元中的各個單元進行讀寫操作，而改由VC代理。VC本身所具有的緩存效果也不容小覷，當內存晶元容量為目前最常見的64Mbit時，VC與內存單元之間的帶寬已達1024bit。即便不考慮前/後台並列處理所帶來的速度提升，光是「先把數據從內存單元中移動到高速的VC中後再由外部進行讀寫」這一基本構造本身就很適於提高內存的整體速度。每塊內存晶元中都可以搭載復數的VC，64Mbit的產品中VC總數為16個。不但每個VC均可以分別對應不同的內存主控設備（MemoryMaster，此處指CPU、南橋晶元、各種擴展卡等等），而且在必要時，還可以把多個VC信道捆綁在一起以對應某個佔用帶寬特別大的內存主控設備。因此，在多任務同時執行的情況下，VC-SDRAM也能保證持續地進行高效率的數據傳輸。VC-SDRAM還有一個特點，就是保持了與傳統型SDRAM的管腳兼容，廠家不需要重新進行主板布線設計就能夠使主板支持它。不過由於它與傳統型SDRAM控制方式不同，因此還需要得到控制晶元組的支持方能使用，目前已支持VC-SDRAM的晶元組有VIA的ApolloPro133系列、ApolloMVP4和SiS的SiS630等。

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8、主板內存條四通道是誰的專利？

四通道電腦內存最早隨著在2010年5月全新的AMDSocketG34插槽和皓龍6100系列，代號「Magny-Cours」（45納米）所發布。