上海集成電路裝備材料產業創新
1、上海張江集成電路產業區開發有限公司怎麼樣?
上海張江集成電路產業區開發有限公司是2001-04-10在上海市注冊成立的有限責任公司(非自然人投資或控股的法人獨資),注冊地址位於中國(上海)自由貿易試驗區張東路1387號20幢。
上海張江集成電路產業區開發有限公司的統一社會信用代碼/注冊號是91310115703101852D,企業法人劉櫻,目前企業處於開業狀態。
上海張江集成電路產業區開發有限公司的經營范圍是:集成電路研究開發,高科技項目經營轉讓,高科技成果轉讓,創業投資,實業投資,建築工程(按許可資質經營),房地產開發經營,物業管理、物業咨詢,商務咨詢(以上咨詢范圍均不含經紀),會務服務,藝術表演場館的經營管理,建築材料、機械設備、電器設備的銷售,國內貿易,張江集成電路產業區土地開發。【依法須經批準的項目,經相關部門批准後方可開展經營活動】。在上海市,相近經營范圍的公司總注冊資本為16242273萬元,主要資本集中在5000萬以上規模的企業中,共2241家。本省范圍內,當前企業的注冊資本屬於一般。
上海張江集成電路產業區開發有限公司對外投資3家公司,具有0處分支機構。
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2、上海集成電路研發中心 怎麼樣
上海集成電路研發中心根據國家關於加快集成電路產業發展的有關政策,由上海市政府於2002年底支持組建成立,是面向全國集成電路企業、大學及研究所開放的非盈利性公共研發機構,並按照現代企業制度實現企業化經營管理,並於2007年5月被國家發展和改革委員會等六部委核准為國家級集成電路研發中心。研發中心保持以發展與中國集成電路產業相適應的應用技術為主線,通過與產業界協調發展的方式獲得持續發展能力。
3、集成電路產業發展現狀與未來趨勢分析資料
集成電路產業信息產業的核心之一,是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵力量。「十三五」以來,我國集成電路產業快速增長、龍頭企業涌現、但產業的整理競爭力有待提升。「十四五」時期我國集成電路產業將如何發展,本文將從發展重點、發展目標兩大方面進行分析。
1、「十三五」發展回顧
——國內市場快速增長、貿易逆差擴大
集成電路產業信息產業的核心之一,是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵力量。「十三五」以來,我國集成電路產業快速增長,2020年,集成電路產業銷售額達8848億元,平均增長率達到20%,為同期全球產業增速的3倍。但同時,我國集成電路的進出口貿易逆差總體擴大,2020年達2334.4億美元。
——中國龍頭企業涌現、整體實力待提升
在全球集成電路產業的競爭格局中,目前仍以美國「一家獨大」,中國大陸、韓國快速發展,而歐洲、日本、中國台灣則有所衰退。
在國家政策和市場需求的驅動下,國內涌現出一批龍頭企業,在集成電路設計環節,有海思半導體、豪威集團、智芯微電子等企業;在集成電路的研發創新方面,2020年,浪潮智能、華虹集團和長江儲存科技的專利公開量排名靠前。
2、「十四五」發展重點解讀
——技術、工藝、研發、寬禁帶半導體
根據《「十四五」規劃綱要和2035年遠景目標綱要》,「十四五」期間,我國集成電路產業將圍繞技術升級、工藝突破、產業發展和設備材料研發四個方面重點發展:
此外,在2021年全國「兩會」期間,全國人大代表們圍繞金融支持模式、第三代半導體發展、產業資源共享等內容為集成電路產業的發展建言獻策:
——圍繞四大環節重點發展
2014年,國務院為支持集成電路產業的發展,印發了《國家集成電路產業發展推進綱要》。《綱要》提出了我國集成電路產業在2015-2030年間的發展目標,並從集成電路設計業、製造業、封測業和關鍵裝備、材料四個方面提出了主要任務和發展重點。
3、「十四五」發展目標解讀
——2030年:產業鏈主要環境達到國際先進水平
根據《國家集成電路產業發展推進綱要》中提出的發展目標,至2015年,集成電路產業銷售收入超過3500億元;至2020年,全行業銷售收入年均增速超過20%,截至2021年3月末,這兩項目標均已完成。展望2030年,我國集成電路產業鏈主要環節達到國際先進水平,一批企業進入國際第一梯隊,實現跨越發展。
另根據國家製造強國建設戰略咨詢委員會發布的《中國製造2025》重點領域技術路線圖,其中針對集成電路產業的市場規模、產能規模等提出了具體的量化發展目標:
——各省市發展目標匯總
此外,全國各省市也圍繞集成電路產業的產業規模、龍頭企業數量等內容,提出了「十四五」時期的發展目標:
—— 更多行業相關數據請參考前瞻產業研究院《中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》
4、目前我國在哪四大重點領域地方?
發力「新基建」,搶佔新風口。昨天舉行的市政府新聞發布會上,《上海市推進新型基礎設施建設行動方案(2020—2022年)》(以下簡稱《行動方案》)正式發布。立足數字產業化、產業數字化、跨界融合化、品牌高端化,《行動方案》從建設任務、保障舉措等方面提出35條舉措,力爭用三年時間推動上海新型基礎設施規模和創新能級邁向國際一流水平。
《行動方案》提出,通過三年努力,率先在四個方面形成重要影響力:率先打造新一代信息基礎設施標桿城市,率先形成全球綜合性大科學設施群雛形,率先建成具有國際影響力的超大規模城市公共數字底座,率先構建一流的城市智能化終端設施網路。
《行動方案》明確了具有上海特色的「新基建」四大重點領域——以新一代網路基礎設施為主的「新網路」建設;以創新基礎設施為主的「新設施」建設;以人工智慧等一體化融合基礎設施為主的「新平台」建設;以智能化終端基礎設施為主的「新終端」建設。上海將通過四大建設行動,全力提升新型基礎設施能級,目前已初步梳理排摸了未來三年實施的第一批48個重大項目和工程包,預計總投資約2700億元。
推進上海特色「新基建」,政府要引導、市場是主體、重大政策舉措是保障。《行動方案》表示,將進一步加強市區協同,在創新支持方式、加強指標保障、推動資源開放、優化規劃布局、完善規則標准、培育市場需求等方面加強引導,為社會資金加大「新基建」投入營造更加良好的環境。
下一步,上海將全力落實好「新基建」35條,高水平推進5G等「新網路」建設,持續保持「新設施」國際競爭力,加快建設人工智慧等「新平台」,完善社會治理和民生服務「新終端」布局,為上海加快構建現代化產業體系厚植新根基,打造經濟高質量發展新引擎。
《行動方案》主要內容如下:
一、上海新型基礎設施建設現狀
近年來,上海圍繞科技創新中心、綜合性國家科學中心以及新型智慧城市、下一代互聯網示範城市、新一代人工智慧創新發展試驗區等建設,加強網路基礎設施、數據中心和計算平台、重大科技基礎設施等布局,總體水平一直保持國內領先。
一是網路基礎設施建設水平「國內領先」。已實現全市16個區5G網路連續覆蓋。建設了15個具有全國影響力的工業互聯網行業平台,帶動6萬多家中小企業上雲上平台。在靜安、嘉定、楊浦、虹口、普陀等區率先開展新型城域物聯網百萬級規模部署。
二是數據中心和計算平台規模「國內領先」。目前互聯網數據中心已建機架數超過12萬個,利用率、服務規模處於國內第一梯隊。市大數據平台累計已匯集全市200多個單位340億條數據,數據規模總體在國內領先。
三是重大科技基礎設施能級「國內領先」。上海已建和在建的國家重大科技基礎設施共有14個,大設施的數量、投資金額和建設進度均領先全國。
二、上海版「新基建」《行動方案》主要內容
《行動方案》立足於數字產業化、產業數字化、跨界融合化、品牌高端化,堅持新老一體、遠近統籌、建用兼顧、政企協同,提出了指導思想、行動目標、4大建設行動25項建設任務、8項保障措施,形成了上海版「新基建」「35條」。
一是明確了具有上海特色的「新基建」重點領域。聚焦新時代上海城市功能和核心競爭力提升,以及新經濟發展要求,明確了推進上海特色「新基建」的4大重點領域:以新一代網路基礎設施為主的「新網路」建設;以創新基礎設施為主的「新設施」建設;以人工智慧等一體化融合基礎設施為主的「新平台」建設;以智能化終端基礎設施為主的「新終端」建設。
二是提出了符合上海城市功能和定位的具體行動目標。通過3年努力,率先在4個方面形成重要影響力:率先打造新一代信息基礎設施標桿城市,率先形成全球綜合性大科學設施群雛形,率先建成具有國際影響力的超大規模城市公共數字底座,率先構建一流的城市智能化終端設施網路。到2022年底,推動全市新型基礎設施建設規模和創新能級邁向國際一流水平。
三是全力實施上海版「新基建」4大建設行動。要對標一流水平,圍繞新網路、新設施、新平台、新終端進行統籌布局,全力提升新型基礎設施能級。初步梳理排摸了未來三年實施的第一批48個重大項目和工程包,預計總投資約2700億元。
1、「新網路」建設行動。把握全球新一輪信息技術變革和數字化發展趨勢,率先構建全球領先的新一代網路基礎設施布局。主要包括:高水平建設5G和固網「雙千兆」寬頻網路,加快布局全網賦能的工業互聯網集群,建設100家以上無人工廠、無人生產線、無人車間,帶動15萬企業上雲上平台;加快下一代互聯網規模化部署;建設新型政務外網及網路安全設施;構建全球信息通信樞紐。
2、「新設施」建設行動。立足科技創新中心和集成電路、人工智慧、生物醫葯「三大高地」建設,持續提升科技和產業創新基礎設施能級。主要包括:加快推進硬X射線等大設施建設,開展下一代光子科學設施預研;爭取國家支持布局新一輪重大科技基礎設施;建設電鏡中心、先進醫學影像集成創新中心、國家集成電路裝備材料產業創新中心等若干先進產業創新基礎設施;圍繞前沿科學研究方向,布局建設重大創新平台。
3、「新平台」建設行動。充分利用好超大規模城市海量數據資源,建設城市全要素數據資源體系,支撐城市治理全方位變革。主要包括:建設新一代高性能計算設施,打造超大規模人工智慧計算與賦能平台。建設政務服務「一網通辦」和社會治理「一網統管」基礎支撐平台,探索建設數字孿生城市。構建醫療大數據訓練設施,支持人工智慧企業開展深度學習等多種演算法訓練試驗。探索建設臨港新片區互聯設施體系和長三角一體化示範區智慧大腦工程。
4、「新終端」建設行動。圍繞培育新經濟、壯大新消費等需求,加快推動商貿、交通、物流、醫療、教育等終端基礎設施智能化改造。主要包括:規模化部署千萬級社會治理神經元感知節點;新建10萬個電動汽車智能充電樁;建設國內領先的車路協同車聯網和智慧道路;建成市級公共停車信息平台;拓展智能末端配送設施,推動智能售貨機、無人販賣機、智慧微菜場、智能回收站等各類智慧零售終端加快布局;建設互聯網+醫療基礎設施;培育教育信息化應用標桿學校;打造智能化「海空」樞紐設施;完善城市智慧物流基礎設施建設。
四是推出8項上海版「新基建」重大政策措施。推進上海特色「新基建」,政府要引導、市場是主體、重大政策舉措是保障。進一步加強市區協同,在創新支持方式、加強指標保障、推動資源開放、優化規劃布局、完善規則標准、培育市場需求等方面加強引導,為社會資金加大「新基建」投入營造良好環境。
下一步,上海將全力落實好「新基建」35條,搶抓新型基礎設施建設為產業復甦升級帶來的重要機遇,高水平推進5G等「新網路」建設,持續保持「新設施」國際競爭力,加快建設人工智慧等「新平台」,完善社會治理和民生服務「新終端」布局,著力創造新供給、激發新需求、培育新動能,為上海加快構建現代化產業體系厚植新根基,打造經濟高質量發展新引擎。
來源:解放日報、上海市人民政府官網、中國上海門戶網站
5、國家發改委答時代周報:支持有條件地方建設區域科技創新中心
創新是引領發展的第一動力,經濟高質量發展要靠創新。下一步,國家發改委在推動構建創新創業創造新生態方面將有什麼考慮?
對此問題,在9月24日上午的國家發改委召開惠企紓困專題新聞發布會上,國家發改委高技術司副司長朱建武在回答時代周報記者提問時表示,國家發改委將支持有條件地方建設區域科技創新中心,加快形成多層次、體系化的區域創新格局。
朱建武表示,今年以來,國家發改委強化創新高地引領帶動,推動北京、上海、粵港澳大灣區三大國際科創中心建設,強化懷柔、張江、合肥、大灣區4個綜合性國家科學中心核心支撐作用,「3 4」區域創新布局,為全國經濟高質量發展發揮了強有力的引領帶動作用。
在產業創新方面,今年國家發改委統籌推進戰略性新興產業發展,研究制定數字經濟、生物經濟「十四五」發展規劃,前瞻謀劃未來產業布局;順利完成國家工程研究中心第一批優化整合工作,大幅提升產業共性技術研發能力;啟動新一批國家企業技術中心認定工作,支持企業健全技術創新體系。
此外,在科技創新方面,針對在建的大設施,今年下達中央預算內投資60億元,直接帶動地方配套投資40億元,間接帶動社會研發投入數百億元;支持中科院實施「率先行動」計劃,加快科教基礎設施建設;推進生物育種、集成電路裝備材料、雲計算裝備等國家產業創新中心建設,打造產業鏈協同創新「國家隊」。
朱建武表示,下一步,國家發改委將機制化推進國際科創中心和綜合性國家科學中心建設,推動重大項目、重大政策、重大改革加快落地;支持有條件地方建設區域科技創新中心,加快形成多層次、體系化的區域創新格局;務實抓好全面創新改革,努力打造科技創新「小崗村」式的制度性成果。
同時,國家發改委將進一步提升創新平台建設的放大作用,聚焦戰略性領域,加快國家產業創新中心布局建設,完成國家工程研究中心優化整合,新認定一批國家企業技術中心,放大創新平台體系的整體效應,強化產業共性技術研發,保障產業鏈供應鏈安全穩定。
6、上海集成電路製造創新中心有限公司怎麼樣?
上海集成電路製造創新中心有限公司是2018-01-16在上海市注冊成立的有限責任公司(國有控股),注冊地址位於中國(上海)自由貿易試驗區碧波路690號401-23室。
上海集成電路製造創新中心有限公司的統一社會信用代碼/注冊號是91310115MA1K40GC95,企業法人桂永浩,目前企業處於開業狀態。
上海集成電路製造創新中心有限公司的經營范圍是:集成電路領域內的技術開發、技術咨詢、技術服務、技術轉讓,集成電路的設計、研發、銷售,從事貨物及技術的進出口業務。【依法須經批準的項目,經相關部門批准後方可開展經營活動】。本省范圍內,當前企業的注冊資本屬於一般。
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7、國內集成電路行業,目前的情況怎麼樣?前景如何?
我這里有一份。要的話可以給你發一份。
2011 年 1月 2日
中國集成電路產業發展現狀 中國集成電路產業發展現狀 集成電路產業發展
關鍵詞:中國集成電路現狀
集成電路產業是知識密集、技術密集和資金密集型產業,世界集成電路產業發 展迅速,技術日新月異。2003年前中國集成電路產業無論從質還是從量來說都不 算發達, 但伴隨著全球產業東移的大潮, 中國的經濟穩定增長, 巨大的內需市場, 以及充裕的人才,中國集成電路產業已然崛起成為新的世界集成電路製造中心。 二十一世紀, 我國必須加強發展自己的電子信息產業。 它是推動我國經濟發展, 促進科技進步的支柱,是增強我國綜合實力的重要手段。作為電子信息產業基 礎的集成電路產業必須優先發展。只有擁有堅實的集成電路產業,才能有力地 支持我國經濟、軍事、科技及社會發展第三步發展戰略目標的實現。
一、我國集成電路產業發展迅速 1998 年我國集成電路產量為 22.2 億塊,銷售規模為 58.5 億元。 到 2009 年,我國集成電路產量為 411 億塊,銷售額為 1110 億元,12 年間產量 和銷售額分別擴大 18.5 倍與 20 倍之多,年均增速分別達到 38.1%與 40.2%,銷 售額增速遠遠高於同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中國集成電路產業重大變化 2008年是中國集成電路產業發展過程中出現重大變化的一年。 全球金融危機不 僅使世界半導體市場衰退,同時也使中國出口產品數量明顯減少,佔中國出口總 額1/3左右的電子信息產品增速回落,其核心部件的集成電路產品的需求量相應 減少。 人民幣升值也是影響產業發展的一個不可忽視的因素, 因為在目前國內集成電 路產品銷售額中直接出口佔到70%左右, 人民幣升值對於以美元為結算貨幣的出 口貿易有著重要影響,人民幣兌美元每升值1%,國內集成電路產業整體銷售額 增幅將減少1.2到1.4個百分點,在即將到來的2011年裡,人民幣加速升值值得關 注。 三、中國集成電路產品產銷概況 中國集成電路產品產銷概況 中國集 2008年中國集成電路產業在產業發展周期性低谷呈現出增速逐季遞減狀態, 全年 銷售總額僅有1246.82億元,比2007年減少了0.4%,出現了未曾有過的負增長局 面;全年集成電路產量為417.14億塊,較2007年僅增長了1.3%。近幾年我國集成 電路產品產量和銷售額的情況如圖1和圖2所示:
圖1 2003—2008年中國集成電路產品產量增長情況
圖2 2003—2008年中國集成電路產品銷售額增長情況 由上圖可知,最近幾年我國集成電路產品銷售額雖逐年上升,但上升的速度卻 緩慢,這是因為在國務院18號文件頒布後的五年中,中國集成電路產業的產品銷 售額一直以年均增長率30%以上的速度上升, 是這個時期世界集成電路增長速度 的3倍,是一種階段性的超高速發展的狀態;一般情況下,我國集成電路產業年 均增長率能保持在世界增長率的1.5倍左右已屬高速發展,因此,在2007年以後, 我國集成電路產業的年增長速度逐步減緩應屬正常勢態, 在世界集成電路產業周 期性低谷階段,20%左右的年增長率仍然是難得的高速度。世界經濟從美國次貸 危機開始逐步向全世界擴展,形成金融危機後又向經濟實體部門擴散,從2008
年開始對中國集成電路產業產生影響,到第三季度國際金融危機明顯爆發後,中 國集成電路產業銷售額就出現了大幅度下滑,形成了第四季度的跳水形態。圖3 是這個變化過程。
圖3 2006Q1-2008Q4中國集成電路產品銷售收入及同比(季期)增長率 中國集成電路產業的發展得益於產業環境的改善, 抵禦金融危機的影響政策 十分顯著。2008年1月,財政部和國家稅務總局發布了《關於企業所得稅若干優 惠政策的通知》(財稅〔2008〕1號),對集成電路企業所享受的所得稅優惠十分 重視。日前通過的《電子信息產業調整和振興規劃》 ,又把「建立自主可控的集成 電路產業體系」作為未來國內信息產業發展的三大重點任務之一,在五大發展舉 措中明確提出「加大投入,集中力量實施集成電路升級」。2005年由國務院發布的 《國家中長期科學和技術發展規劃綱要 (2006━2020年)》(國發[2005]44號),確定 並安排了16個國家重大專項,其中把「核心電子器件、高端通用晶元及基礎軟體 產品」與「超大規模集成電路製造裝備及成套工藝」列在多個重大專項的前兩位; 2008年4月國務院常務會議已審議並原則通過了這兩個重大專項的實施方案,為 專項涉及的相關領域提供了良好的發展契機。 中國各級政府對集成電路產業發展 的積極支持和相關政策的不斷落實, 對我國集成電路產業的發展產生了積極的影 響。 四、中國集成電路產品需求市場 近些年來,隨著中國電子信息產品製造業的迅速發展,在中國市場上對集成 電路產品的需求呈現出飛速發展的勢態,並成為全球半導體行業的關注點,即使 中國集成電路產品的需 在國內外半導體產業陷入低迷並出現了負增長的2008年,
求市場仍保持著增長的勢頭, 這是由中國信息產品製造業的銷售額保持著10%以 上的正增長率所決定的。 中國最近幾年的集成電路產品市場需求額變化情況如圖 4所示。
圖4 2004-2008年中國集成電路市場需求額 五、我國集成電路產業結構 設計、製造和封裝測試業三業並舉,半導體設備和材料的研發水平和生產能 力不斷增強,產業鏈基本形成。隨著前幾年 IC 設計業和晶元製造業的加速發展, 設計業和晶元製造業所佔比重逐步上升,國內集成電路產業結構逐漸趨於合理。 2006年設計業的銷售額為186.2億元, 比2005年增長49.8%; 2007年銷售額為225.7 億元,比2006年增長21.2%。晶元製造業2006年銷售額為323.5億元,比2005年增 長了38.9%; 2007年銷售額為397.9億元, 比2006年增長又23.0%。 封裝測試業2006 年銷售額為496.6億元,比2005年增長43.9%;2007年銷售額為627.7億元,比2006 年增長26.4%。2001年我國設計業、晶元製造業、封測業的銷售額分別為11億元、 27.2億元、161.1億元,分別佔全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%,產業結構 不盡合理。 最近5年來, 在產業規模不斷擴大的同時,IC 產業結構逐步趨於合理, 設計業和晶元製造業在產業中的比重顯著提高。到2007年我國 IC 設計業、晶元 製造業、封測業的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元,分別佔全年 總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。 半導體設備材料的研發和生產能力不斷增強。 在設備方面, 65納米開始導入生產, 中芯國際與 IBM 在45納米技術上開展合作,FBP(平面凸點式封裝)和 MCP(多
晶元封裝)等先進封裝技術開發成功並投入生產,自主開發的8英寸100納米等離 子刻蝕機和大角度離子注入機、12英寸矽片已進入生產線使用。在材料方面,已 研發出8英寸和12英寸硅單晶,硅晶圓和光刻膠的國內生產能力和供應能力不斷 增強。
但是2008年,國內集成電路設計、晶元製造與封裝測試三業均不同程度的受 到市場低迷的影響,其中晶元製造業最明顯,全年晶元製造業規模增速由2007 年的23%下降到-1.3%,各主要晶元製造企業均出現了產能閑置、業績下滑的情 況;封裝測試業普遍訂單下降、開工率不足,全年增幅為-1.4%;集成電路設計 業也受到國內市場需求增長放緩的影響, 由於重點企業在技術升級與產品創新方 面所做的努力部份地抵禦了市場需求不振所帶來的影響, 全年增速仍保持在正增 長狀態,為4.2%,高於國內集成電路產業的整體增幅。如圖5所示。
圖5 2008年中國集成電路產業基本結構
六、集成電路技術發展 集成電路技術發展 我國技術創新能力不斷提高,與國外先進水平差距不斷縮小。從改革開放之初 的 3 英寸生產線,發展到目前的 12 英寸生產線,IC 製造工藝向深亞微米挺進, 封裝測試水平從低端邁向中 研發了不少工藝模塊, 先進加工工藝已達到 100nm。 高端,在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先進封裝形式的開發和生產
方面取得了顯著成績。IC 設計水平大大提升,設計能力小於等於 0.5 微米企業比 例已超過 60%,其中設計能力在 0.18 微米以下企業占相當比例,部分企業設計 水平已經達到 100nm 的先進水平。設計能力在百萬門規模以上的國內 IC 設計企 業比例已上升到 20%以上,最大設計規模已經超過 5000 萬門級。相當一批 IC 已投入量產,不僅滿足國內市場需求,有的還進入國際市場。 總之,集成電路產業是信息產業和現代製造業的核心戰略產業,其已成為一些 國家信息產業的重中之重。 2011年我國集成電路產業的發展將勉勵更好的發展環 境,國家政府的支持力度將進一步增加,新的扶植政策也會盡快出台,支持研發 的資金將會增多,國內市場空間更為廣闊,我國集成電路產業仍將保持較快的發 展速度,佔全球市場份額比重必會進一步增大!! !
附錄: 附錄: 中國集成電路產業發展大事記(摘自網路) 中國集成電路產業發展大事記(摘自網路) 1947 年,美國貝爾實驗室發明了晶體管。 1956 年,中國提出「向科學進軍」,把半導體技術列為國家四大緊急措施 之一。 1957 年,北京電子管廠通過還原氧化鍺,拉出了鍺單晶。中國科學院應用 物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年,中國相繼研製出鍺點接 觸二極體和三極體(即晶體管) 。 1959 年,天津拉制出硅(Si)單晶。 1962 年,天津拉制出砷化鎵單晶(GaAs) ,為研究制備其他化合物半導體打 下了基礎。 1962 年,我國研究製成硅外延工藝,並開始研究採用照相製版,光刻工藝。 1963 年,河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。 1964 年,河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。 1965 年 12 月,河北半導體研究所召開鑒定會,鑒定了第一批半導體管,並 在國內首先鑒定了 DTL 型(二極體――晶體管邏輯)數字邏輯電路。1966 年底, 在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了 TTL 電路產品。 這些小規模雙極型數字集成電 路主要以與非門為主,還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路 等。標志著中國已經製成了自己的小規模集成電路。 1968 年,組建國營東光電工廠(878 廠) 、上海無線電十九廠,至 1970 年建 成投產,形成中國 IC 產業中的「兩霸」。 1968 年,上海無線電十四廠首家製成 PMOS(P 型金屬-氧化物半導體)電 路(MOSIC) 。拉開了我國發展 MOS 電路的序幕,並在七十年代初,永川半導體研 究所(現電子第 24 所) 、上無十四廠和北京 878 廠相繼研製成功 NMOS 電路。之
後,又研製成 CMOS 電路。 七十年代初,全國掀起了建設 IC 生產企業的熱潮,共有四十多家集成電路 工廠建成。 1972 年,中國第一塊 PMOS 型 LSI 電路在四川永川半導體研究所研製成功。 1973 年,我國 7 個單位分別從國外引進單台設備,期望建成七條 3 英寸工 藝線,最後只有北京 878 廠,航天部陝西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。 1976 年 11 月,中國科學院計算所研製成功 1000 萬次大型電子計算機,所 使用的電路為中國科學院 109 廠(現中科院微電子中心)研製的 ECL 型(發射極 耦合邏輯)電路。 1982 年,江蘇無錫的江南無線電器材廠(742 廠)IC 生產線建成驗收投產, 這是中國第一次從國外引進集成電路技術。 1982 年 10 月,國務院為了加強全國計算機和大規模集成電路的領導,成立 了以萬里副總理為組長的「電子計算機和大規模集成電路領導小組」, 制定了中 國 IC 發展規劃,提出「六五」期間要對半導體工業進行技術改造。 1983 年,針對當時多頭引進,重復布點的情況,國務院大規模集成電路領 導小組提出「治散治亂」, 集成電路要「建立南北兩個基地和一個點」的發展戰 略,南方基地主要指上海、江蘇和浙江,北方基地主要指北京、天津和沈陽,一 個點指西安,主要為航天配套。 1986 年,電子部廈門集成電路發展戰略研討會,提出「七五」期間我國集 成電路技術「531」發展戰略,即普及推廣 5 微米技術,開發 3 微米技術,進行 1 微米技術科技攻關。 1989 年 2 月,機電部在無錫召開「八五」集成電路發展戰略研討會,提出 了「加快基地建設,形成規模生產,注重發展專用電路,加強科研和支持條件, 振興集成電路產業」的發展戰略。 1989 年 8 月 8 日, 廠和永川半導體研究所無錫分所合並成立了中國華晶 742 電子集團公司。 1990 年 10 月,國家計委和機電部在北京聯合召開了有關領導和專家參加的座談 會,並向黨中央進行了匯報,決定實施九 O 八工程。 1995 年,電子部提出「九五」集成電路發展戰略:以市場為導向,以 CAD 為突破口,產學研用相結合,以我為主,開展國際合作,強化投資,加強重點工 程和技術創新能力的建設,促進集成電路產業進入良性循環。 1995 年 10 月,電子部和國家外專局在北京聯合召開國內外專家座談會,獻 計獻策,加速我國集成電路產業發展。11 月,電子部向國務院做了專題匯報, 確定實施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日, 由上海華虹集團與日本 NEC 公司合資組建的上海華虹 NEC 電子有限公司組建,總投資為 12 億美元,注冊資金 7 億美元,華虹 NEC 主要承 擔「九 0 九」工程超大規模集成電路晶元生產線項目建設。 1998 年 1 月 18 日,「九 0 八」 主體工程華晶項目通過對外合同驗收,這 條從朗訊科技公司引進的 0.9 微米的生產線已經具備了月投 6000 片 6 英寸圓片 的生產能力。 1998 年 1 月,中國華大集成電路設計中心向國內外用戶推出了熊貓 2000 系 統,這是我國自主開發的一套 EDA 系統,可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要, 可處理規模達百萬門級,支持高層次設計。 1998 年 2 月 28 日,我國第一條 8 英寸硅單晶拋光片生產線建成投產,這個
項目是在北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心進行的。 1998 年 4 月,集成電路「九 0 八」工程九個產品設計開發中心項目驗收授 牌,這九個設計中心為信息產業部電子第十五研究所、信息產業部電子第五下四 研究所、上海集成電路設計公司、深圳先科設計中心、杭州東方設計中心、廣東 專用電路設計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業自動化研究所和航天工 業 771 研究所。這些設計中心是與華晶六英寸生產線項目配套建設的。 1998 年 3 月,由西安交通大學開元集團微電子科技有限公司自行設計開發 的我國第一個-CMOS 微型彩色攝像晶元開發成功,我國視覺晶元設計開發工作取 得的一項可喜的成績。 1999 年 2 月 23 日,上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片,工藝技術檔次 從計劃中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米,主導產品 64M 同步動態存儲器(S- DRAM) 這條生產線的建-成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規模集 。 成電路晶元生產線。 2000 年 7 月 11 日,國務院頒布了《鼓勵軟體產業和集成電路產業發展的若 干政策》 隨後科技部依次批准了上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 個國家級 IC 設計產業化基地。 2001 年 2 月 27 日, 直徑 8 英寸硅單晶拋光片國家高技術產業化示範工程項 目在北京有色金屬研究總院建成投產;3 月 28 日,國務院第 36 次常務會議通過 了《集成電路布圖設計保護條例》 。 2002 年 9 月 28 日,龍芯 1 號在中科院計算所誕生。同年 11 月,中國電子 科技集團公司第四十六研究所率先研製成功直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶, 實現 了我國直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶研製零的突破。 2003 年 3 月 11 日,杭州士蘭微電子股份有限公司上市,成為國內 IC 設計 第一股。 2006 年中星微電子在美國納斯達克上市。隨即珠海炬力也成功上市。 2007 年展訊通信在美國納斯達克上市。 2008 年《集成電路產業「十一五」專項規劃》重點建設北京、天津、上海、 蘇州、寧波等國家集成電路產業園。
8、如何加快推進具有全球影響力的產業科技創新中心建設
1、科創中心「14+8」重大方向:上海市委市政府《關於加快建設具有全球影響力的科技創新中心的意見》第20條「實施一批重大戰略項目,布局一批重大基礎工程。服務國家戰略,積極爭取國家支持,重點推進民用航空發動機與燃氣輪機、大飛機、北斗導航、高端處理器晶元、集成電路製造及配套裝備材料、先進感測器及物聯網、智能電網、智能汽車和新能源汽車、新型顯示、智能製造與機器人、深遠海洋工程裝備、原創新葯與高端醫療裝備、精準醫療、大數據及雲計算等一批重大產業創新戰略項目建設。把握世界科技進步大方向,積極推進腦科學與人工智慧、幹細胞與組織功能修復、國際人類表型組、材料基因組、新一代核能、量子通信、擬態安全、深海科學等一批重大科技基礎前沿布局」。
2、上海《十三五科輔禒滇溉鄄防殿獅東餞技創新規劃》提出了「追求卓越創新、建設國家科技中心」的目標,分四個主題執行:「促進戰略方向重大突破、促進科學研究自由探索、集聚一流科技創新人才、建設世界級設施與機構」,在「主題一」中提出了7個重大戰略方向:腦科學與類腦人工智慧、國際人類表型組、幹細胞與組織功能修復、納米科學與微納製造、材料基因組、合成科學與生物創制、量子材料與量子通信。